[發明專利]在加工晶圓中使用的保護片、用于晶圓的處理系統以及晶圓與保護片的組合體

有效

• 申請號: 201780090967.5
• 申請日: 2017-05-18
• 公開（公告）號: CN110663106B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 卡爾·海因茨·普里瓦涉
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/78;H01L21/304;H01L21/683
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種在加工半導體尺寸晶圓（W）中使用的保護片（10，110，210，310，410），所述保護片（10，110，210，310，410）包括：

保護膜（4）；和

緩沖層（8），其附接至所述保護膜（4）的背表面（4b），所述緩沖層（8）通過外部刺激固化，使得所述緩沖層（8）在施加外部刺激時至少在一定程度上硬化；

其中，至少在所述保護片（10，110，210，310，410）的中心區域中，未將粘合劑施加至所述保護片（10，110，210，310，410）的前表面（4a）和背表面（8b，9b），所述中心區域具有等于或大于所述半導體尺寸晶圓（W）的外徑的外徑；

所述保護片（10，110，210，310，410）被配置為：

通過將所述保護膜（4）附接至所述半導體尺寸晶圓（W）上，使所述保護片（10，110，210，310，410）被附接至所述半導體尺寸晶圓（W）上，從而使得與所述保護膜（4）的所述背表面（4b）相對的所述保護膜（4）的前表面（4a）與所述半導體尺寸晶圓（W）直接接觸;以及

所述保護片（10，110，210，310，410）從所述晶圓（W）移除時能夠避免所述晶圓（W）的器件區域（2）中的殘留物。

2.根據權利要求1所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述中心區域的外徑在3至50?cm的范圍內。

3.根據權利要求1或2所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，在所述保護片（10，110，210，310，410）的整個所述前表面（4a）和/或整個所述背表面（8b，9b）上，沒有施加粘合劑。

4.根據權利要求1所述的保護片（110，210），其中，將環形的粘合劑層（42）施加至所述保護膜（4）的、與所述保護膜（4）的所述背表面（4b）相對的前表面（4a）的外周部。

5.根據權利要求4所述的保護片（110，210），其中，所述環形的粘合劑層（42）的內徑等于或大于用于保持所述半導體尺寸晶圓（W）的半導體尺寸的環形框架（40）的內徑。

6.根據權利要求1所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述外部刺激為UV輻射、熱、電場和/或化學試劑。

7.根據權利要求1或2所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述緩沖層（8）具有20至500?μm范圍內的厚度。

8.根據權利要求1或2所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述保護膜（4）具有5至200?μm范圍內的厚度。

9.根據權利要求1或2所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述保護膜（4）由聚合物制成。

10.根據權利要求9所述的保護片（10，110，210，310，410），其中，所述聚合物是聚烯烴。

11.根據權利要求4或5所述的保護片（110，210），其中，所述外部刺激為UV輻射、熱、電場和/或化學試劑。

12.根據權利要求4或5所述的保護片（110，210），其中，所述緩沖層（8）具有20至500?μm范圍內的厚度。

13.根據權利要求4或5所述的保護片（110，210），其中，所述保護膜（4）具有5至200?μm范圍內的厚度。

14.根據權利要求4或5所述的保護片（110，210），其中，所述保護膜（4）由聚合物制成。

15.根據權利要求14所述的保護片（110，210），其中，所述聚合物是聚烯烴。