[發(fā)明專利]氮氧化物減少設(shè)備和氣體處理設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780088862.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN110612151A
• 公開（公告）日: 2019-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔奫修;高燦奎;S.馬尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)德華茲韓國(guó)有限公司
• 主分類號(hào): B01D53/56
• 分類號(hào): B01D53/56;B01D53/32;B01D53/75;B01D47/06;B01D53/78;H05H1/24
• 代理公司: 72001 中國(guó)專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 鄒松青;傅永霄

1.一種氣體處理設(shè)備，其包括：

反應(yīng)室，其被構(gòu)造成通過(guò)等離子體處理從外部供應(yīng)的氣體，經(jīng)處理的氣體包含氮氧化物；以及

氮氧化物減少設(shè)備，其連接到所述反應(yīng)室，

其中，所述氮氧化物減少設(shè)備包括冷卻單元，所述冷卻單元被構(gòu)造成將所述經(jīng)處理的氣體冷卻到低于氮氧化物產(chǎn)生溫度的溫度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述冷卻單元包括被構(gòu)造成注入低溫氣體的一個(gè)或多個(gè)注氣噴嘴。

3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述注氣噴嘴設(shè)置在所述氮氧化物減少設(shè)備的多個(gè)位置處，并且所述低溫氣體是惰性氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述氮氧化物減少設(shè)備還包括柱形殼體以及設(shè)置在所述柱形殼體內(nèi)部的環(huán)形氣體供應(yīng)環(huán)，并且

所述一個(gè)或多個(gè)注氣噴嘴設(shè)置在所述氣體供應(yīng)環(huán)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述惰性氣體包含氮?dú)夂蜌鍤庵械闹辽僖徽摺?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述冷卻單元包括熱交換器。

7.一種用于減少通過(guò)等離子體處理的氣體中所包含的氮氧化物的氮氧化物減少設(shè)備，所述氮氧化物減少設(shè)備包括：

冷卻單元，其被構(gòu)造成將經(jīng)處理的氣體冷卻到低于氮氧化物產(chǎn)生溫度的溫度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮氧化物減少設(shè)備，其中，所述冷卻單元包括被構(gòu)造成注入低溫氣體的一個(gè)或多個(gè)注氣噴嘴。

9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮氧化物減少設(shè)備，其中，所述注氣噴嘴設(shè)置在所述氮氧化物減少設(shè)備的多個(gè)位置處，并且所述低溫氣體是惰性氣體。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氮氧化物減少設(shè)備，其還包括柱形殼體以及設(shè)置在所述柱形殼體內(nèi)部的環(huán)形氣體供應(yīng)環(huán)，并且

所述一個(gè)或多個(gè)注氣噴嘴設(shè)置在所述氣體供應(yīng)環(huán)上。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氮氧化物減少設(shè)備，其中，所述冷卻單元包括熱交換器。

12.一種氣體處理設(shè)備，其包括：

等離子體產(chǎn)生設(shè)備，其被構(gòu)造成產(chǎn)生等離子體；

反應(yīng)室，其連接到所述等離子體產(chǎn)生設(shè)備并且被構(gòu)造成通過(guò)等離子體處理從外部供應(yīng)的氣體，經(jīng)處理的氣體包含氮氧化物；以及

氮氧化物減少設(shè)備，其連接到所述反應(yīng)室，

其中，所述氮氧化物減少設(shè)備包括冷卻單元，所述冷卻單元被構(gòu)造成將所述經(jīng)處理的氣體冷卻到低于氮氧化物產(chǎn)生溫度的溫度。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣體處理設(shè)備，其還包括具有注水噴嘴的管道，

其中，所述氮氧化物減少設(shè)備定位在所述反應(yīng)室和所述管道之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的氣體處理設(shè)備，其中，所述等離子體產(chǎn)生設(shè)備包括：

陰極組件，其包括陰極；

陽(yáng)極組件，其包括陽(yáng)極，所述陽(yáng)極組件具有在其中的等離子體產(chǎn)生空間；以及

一個(gè)或多個(gè)磁力產(chǎn)生器，其被構(gòu)造成產(chǎn)生磁力，

其中，所述陽(yáng)極組件具有：一個(gè)端部部分，在所述端部部分中設(shè)置了氣體供應(yīng)路徑；以及具有開口的另一個(gè)端部部分，所述氣體供應(yīng)路徑被構(gòu)造成將等離子體產(chǎn)生氣體供應(yīng)到所述等離子體產(chǎn)生空間，并且

其中，所述氣體供應(yīng)路徑被構(gòu)造成在所述等離子體產(chǎn)生空間中產(chǎn)生所述等離子體產(chǎn)生氣體的渦流，并且所述一個(gè)或多個(gè)磁力產(chǎn)生器布置成使得在與所述等離子體產(chǎn)生氣體的所述渦流的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向上產(chǎn)生所述磁力。