[發明專利]懸浮液和研磨方法有效
| 申請號: | 201780088760.4 | 申請日: | 2017-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN110462791B | 公開(公告)日: | 2023-06-16 |
| 發明(設計)人: | 巖野友洋 | 申請(專利權)人: | 株式會社力森諾科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;C09K3/14 |
| 代理公司: | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人: | 杜娟 |
| 地址: | 日本東京都港*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 懸浮液 研磨 方法 | ||
1.一種懸浮液,其含有磨粒和液狀介質,
所述磨粒包含第1粒子和與該第1粒子接觸的第2粒子,
所述第1粒子含有二氧化鈰,
所述第1粒子的ζ電位為負,
所述第1粒子的平均粒徑為15~1000nm,
所述第2粒子含有4價金屬元素的氫氧化物,
所述第2粒子的ζ電位為正,
所述第2粒子的平均粒徑為1~25nm,
所述第2粒子的平均粒徑小于所述第1粒子的平均粒徑。
2.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述4價金屬元素的氫氧化物包含選自稀土金屬元素的氫氧化物和鋯的氫氧化物中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的懸浮液,其中,所述稀土金屬元素包含選自鈰、鐠和鋱中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第1粒子的平均粒徑為40nm以上。
5.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第1粒子的平均粒徑為500nm以下。
6.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第2粒子的平均粒徑為3nm以上。
7.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第2粒子的平均粒徑為15nm以下。
8.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的平均粒徑為20~1000nm。
9.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的平均粒徑為300nm以上。
10.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的平均粒徑為400nm以下。
11.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的ζ電位在+10mV以上。
12.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的ζ電位在+50mV以上。
13.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述磨粒的ζ電位在+200mV以下。
14.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述磨粒整體為基準,所述磨粒中的二氧化鈰的含量為50~95質量%。
15.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述磨粒整體為基準,所述磨粒中的二氧化鈰的含量為80質量%以上。
16.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述磨粒整體為基準,所述磨粒中的二氧化鈰的含量為85質量%以下。
17.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述第1粒子的整體為基準,所述第1粒子中的二氧化鈰的含量為50質量%以上。
18.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第1粒子的含量為0.01~10質量%。
19.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第1粒子的含量為0.5質量%以上。
20.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,所述第1粒子的含量為1質量%以下。
21.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述磨粒整體為基準,所述磨粒中的4價金屬元素的氫氧化物的含量為5~50質量%。
22.根據權利要求1所述的懸浮液,其中,以所述磨粒整體為基準,所述磨粒中的4價金屬元素的氫氧化物的含量為15質量%以上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





