[發明專利]光半導體元件有效
| 申請號： | 201780088584.4 | 申請日： | 2017-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN110431720B | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發明（設計）人： | 境野剛;中村直干;奧貫雄一郎 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/026 | 分類號： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張天舒 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
1.一種光半導體元件，其特征在于，具備：
半導體激光器，其具有n型半導體襯底和在所述n型半導體襯底之上依次層疊的n型包覆層、有源層以及p型包覆層；
光波導，其具有芯層和包覆層，該芯層位于所述n型半導體襯底之上并且設置于所述半導體激光器的光輸出側，沒有摻雜雜質，與所述有源層相比禁帶寬度大，該包覆層設置于所述芯層之上，與所述p型包覆層相比載流子濃度低；以及
電極，
所述半導體激光器具有：
載流子注入區域；以及
非載流子注入區域，其設置于所述載流子注入區域和所述光波導之間，
所述電極在所述n型半導體襯底的下表面設置于所述載流子注入區域，沒有設置于所述非載流子注入區域以及所述光波導。
2.根據權利要求1所述的光半導體元件，其特征在于，
還具備絕緣體，該絕緣體在所述非載流子注入區域以及所述光波導設置于所述n型半導體襯底的所述下表面。
3.根據權利要求1所述的光半導體元件，其特征在于，
還具備金屬氧化膜，該金屬氧化膜在所述非載流子注入區域以及所述光波導設置于所述n型半導體襯底的所述下表面。
4.根據權利要求1所述的光半導體元件，其特征在于，
還具備金屬層，該金屬層在所述非載流子注入區域以及所述光波導與所述n型半導體襯底的所述下表面進行了肖特基接合。
5.根據權利要求1所述的光半導體元件，其特征在于，
還具備p型半導體層，該p型半導體層在所述非載流子注入區域以及所述光波導設置于所述n型半導體襯底的所述下表面。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的光半導體元件，其特征在于，
在所述半導體激光器以及所述光波導，所述n型半導體襯底的所述下表面是平坦的。
7.根據權利要求1所述的光半導體元件，其特征在于，
在所述非載流子注入區域以及所述光波導的整體，在所述n型半導體襯底的所述下表面形成有凹部。
8.一種光半導體元件，其特征在于，具備：
半導體激光器，其具有n型半導體襯底和在所述n型半導體襯底之上依次層疊的n型包覆層、有源層以及p型包覆層；以及
光波導，其具有芯層、包覆層和p型半導體層，該芯層位于所述n型半導體襯底之上并且設置于所述半導體激光器的光輸出側，沒有摻雜雜質，與所述有源層相比禁帶寬度大，該包覆層設置于所述芯層之上，與所述p型包覆層相比載流子濃度低，該p型半導體層設置于所述芯層的下方，沒有與所述n型半導體襯底的下表面接觸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780088584.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
