[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201780087203.0
• 申請日: 2017-02-27
• 公開（公告）號: CN110326090A
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 角野翼;日坂隆行
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L29/812
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體層；以及

柵極電極，其形成于所述半導體層之上，至少具有最下層和上層，該最下層與所述半導體層接觸，該上層形成于所述最下層之上，

所述上層向所述最下層產生應力而導致所述最下層的兩端部從所述半導體層翹起。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述最下層是Pt層，所述上層是Ti層。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述最下層的中央部與所述半導體層固相反應。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備保護膜，該保護膜對翹起的所述最下層的所述兩端部進行包覆。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，

所述保護膜是原子層交替排列的原子層沉積膜。

6.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備以下工序：

在半導體層之上形成柵極電極的工序，該柵極電極至少具有最下層和上層，該最下層與所述半導體層接觸，該上層形成于所述最下層之上；以及

通過進行熱處理而從所述上層向所述最下層產生應力，使所述最下層的兩端部從所述半導體層翹起的工序。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過所述熱處理而使所述最下層的中央部與所述半導體層固相反應。

8.根據權利要求6或7所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還具備通過原子層沉積法而形成保護膜的工序，該保護膜對翹起的所述最下層的所述兩端部進行包覆。