[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201780086998.3
• 申請日: 2017-02-21
• 公開（公告）號: CN110392924B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發明（設計）人: 一戶洋曉;宮脅勝巳;森脅孝雄
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L21/52;H01L23/28;H01L23/31;H01L23/48
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置，其具備：

散熱器；

半導體芯片，其通過固定材料而被固定至所述散熱器，由GaN形成；

引線，其經由導線而與所述半導體芯片連接；以及

模塑樹脂，其以覆蓋所述引線的一部分、所述導線以及所述半導體芯片的方式設置于所述散熱器之上，該模塑樹脂的玻璃化轉變溫度大于或等于195℃，

在所述散熱器的與所述模塑樹脂重疊的表面以及所述引線的與所述模塑樹脂重疊的表面設置有表面粗糙度為RMS＝150nm以上且RMS＝250nm以下的粗糙化鍍層，

所述固定材料是焊料或者燒結銀，

所述模塑樹脂的吸水率小于或等于0.24％，

所述散熱器以及所述引線的材料為銅、銅鉬合金、銅鎢合金或者鋁，

所述模塑樹脂的線膨脹系數為9～19ppm。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體芯片由寬帶隙半導體材料形成，

所述模塑樹脂的熱分解開始溫度大于或等于300℃。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述散熱器由具有大于或等于200W/mK的熱傳導率的材料形成。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

在所述散熱器的所述表面的四角設置有以包圍所述半導體芯片的方式延伸的槽。