[發明專利]用于功率放大器的具有多個基極臺面和功率級的異質結雙極晶體管單位單元有效
| 申請號: | 201780086929.2 | 申請日: | 2017-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN110301048B | 公開(公告)日: | 2023-03-17 |
| 發明(設計)人: | 陶耿名;楊斌;李夏;M·米蘭達·科巴蘭 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/423 | 分類號: | H01L29/423;H01L29/66;H01L29/737;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;郭星 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 功率放大器 具有 基極 臺面 功率 異質結 雙極晶體管 單位 單元 | ||
1.一種異質結雙極晶體管單位單元,包括:
化合物半導體襯底;
基極臺面,在所述化合物半導體襯底上,所述基極臺面包括在所述化合物半導體襯底上的集電極區域以及在所述集電極區域上的基極區域;
單發射極臺面,在所述基極臺面上;
基極接觸件,沿所述單發射極臺面的寬度延伸;以及
集電極接觸件,沿所述單發射極臺面的長度延伸;
其中所述單發射極臺面的所述寬度大于或等于所述單發射極臺面的所述長度。
2.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中基極臺面面積與發射極臺面面積的比率小于2。
3.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中所述基極接觸件接近所述單發射極臺面的僅一側。
4.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中所述化合物半導體襯底包括III-V族化合物半導體材料或II-VI族化合物半導體材料。
5.根據權利要求1所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中集成所述異質結雙極晶體管單位單元的功率放大器被包含到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機中的至少一種中。
6.一種異質結雙極晶體管單位單元,包括:
化合物半導體襯底;
第一基極臺面,在所述化合物半導體襯底上;
第一發射極臺面,在所述第一基極臺面上;
第二基極臺面,在所述化合物半導體襯底上并且與所述第一基極臺面間隔開;
第二發射極臺面,在所述第二基極臺面上;
第一基極接觸件,沿所述第一發射極臺面的寬度延伸;以及
集電極接觸件,沿所述第一發射極臺面的長度延伸;
其中所述第一發射極臺面的所述寬度大于或等于所述第一發射極臺面的所述長度。
7.根據權利要求6所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中所述集電極接觸件在所述化合物半導體襯底上、在所述第一基極臺面與所述第二基極臺面之間。
8.根據權利要求6所述的異質結雙極晶體管單位單元,還包括隔離層,在所述化合物半導體襯底上、在所述第一基極臺面與所述第二基極臺面之間。
9.根據權利要求6所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中第一基極臺面面積與第一發射極臺面面積的比率小于2。
10.根據權利要求6所述的異質結雙極晶體管單位單元,還包括:
第二基極接觸件,接近所述第二發射極臺面的僅一側,其中所述第一基極接觸件接近所述第一發射極臺面的僅一側。
11.根據權利要求6所述的異質結雙極晶體管單位單元,其中集成所述異質結雙極晶體管單位單元的功率放大器被包含到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機中的至少一種中。
12.一種功率放大器,包括:
多個異質結雙極晶體管單位單元,所述多個異質結雙極晶體管單位單元中的每個異質結雙極晶體管單位單元包括:
化合物半導體襯底;
基極臺面,在所述化合物半導體襯底上;
單發射極臺面,在所述基極臺面上;
基極接觸件,沿所述單發射極臺面的寬度延伸;以及
集電極接觸件,沿所述單發射極臺面的長度延伸;
其中所述單發射極臺面的所述寬度大于或等于所述單發射極臺面的所述長度。
13.根據權利要求12所述的功率放大器,其中所述基極接觸件接近所述單發射極臺面的僅一側。
14.根據權利要求12所述的功率放大器,被包含到音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元、移動電話和便攜式計算機中的至少一種中。
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