[發明專利]具有發光二極管的光電設備

有效

• 申請號: 201780086474.4
• 申請日: 2017-12-28
• 公開（公告）號: CN110313069B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 蔡正松;譚偉新;文森特·貝克斯;菲力浦·吉萊;皮埃爾·柴爾菲安
• 申請（專利權）人: 艾利迪公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/18;H01L33/08
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 王小衡;胡彬

1.一種制造光電設備的方法，包括以下相繼步驟：

a)提供襯底，所述襯底至少部分地由半導體材料制成并具有第一相對面和第二相對面；

b)在所述襯底上形成發光二極管，每個所述發光二極管包括被殼體覆蓋的半導體微米線或納米線；

c)形成圍繞所述發光二極管的封裝層；

d)在所述封裝層上形成導電襯墊，其在所述封裝層的與所述襯底相對的一側上與所述發光二極管接觸；以及

e)從第二相對面的那一側在所述襯底中形成通過開口，所述開口與所述發光二極管的至少一部分相對并且在襯底中對壁進行界定。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

f)在所述開口中的至少一些開口中形成光致發光塊。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，步驟b)包括形成與所述襯底接觸的種子層，所述種子層由有利于所述半導體微米線或納米線的生長的材料制成，并且使線在所述種子層上生長。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述種子層能夠至少部分地由氮化鋁(AlN)、硼(B)、氮化硼(BN)、鈦(Ti)或氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)、鉿(Hf)、氮化鉿(HfN)、鈮(Nb)、氮化鈮(NbN)、鋯(Zr)、硼酸鋯(ZrB₂)、氮化鋯(ZrN)、碳化硅(SiC)、碳氮化鉭(TaCN)、Mg_xN_y形式的氮化鎂、氮化鎂鎵(MgGaN)、鎢(W)、氮化鎢(WN)或其組合制成，其中x等于3至10％內并且y等于2至10％內。

5.根據權利要求1或2所述的方法，還包括在步驟e)之前減薄所述襯底的步驟。

6.根據權利要求1或2所述的方法，還包括在步驟e)之前將所述封裝層接合到電子電路或保持件的步驟。

7.根據權利要求1或2所述的方法，還包括在步驟d)之前在所述發光二極管之間的所述封裝層中刻蝕溝槽并利用反射涂層覆蓋每個溝槽、利用填充材料至少部分地填充每個溝槽和/或使在每個溝槽中有空氣或部分空隙的步驟。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在步驟d)處，所述導電襯墊被形成為與所述殼體接觸。

9.根據權利要求1或2所述的方法，還包括在步驟d)之前刻蝕所述殼體的部分以暴露所述半導體微米線或納米線的端部的步驟，所述導電襯墊在步驟d)處被形成為與所述半導體微米線或納米線接觸并且與所述殼體電絕緣。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中，每個半導體微米線或納米線包括側面和與所述襯底相對的頂面，并且其中，對于每個所述發光二極管，所述殼體覆蓋微米線或納米線的側面和頂面。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中，每個半導體微米線或納米線包括側面和與襯底相對的頂面，并且其中，對于每個所述發光二極管，所述殼體僅覆蓋微米線或納米線的頂面。

12.根據權利要求1或2所述的方法，包括在步驟b)之前從第一相對面在所述襯底中形成開口并在所述開口中形成壁，所述壁至少部分地由與所述襯底不同的材料制成，所述方法還包括在步驟e)中去除所述襯底以暴露所述壁。

13.一種光電設備，包括：

發光二極管，每個所述發光二極管包括被殼體覆蓋的半導體微米線或納米線，所述發光二極管被封裝層圍繞；

壁，其至少部分地由擱置在所述封裝層上的半導體材料或電絕緣材料制成，所述壁界定開口，所述開口與所述發光二極管的至少一部分相對；以及

導電襯墊，其在所述封裝層的與所述壁相對的一側上與所述發光二極管接觸。