[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201780084440.1 | 申請日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN110199377B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 尾辻正幸;橋本光治;高橋光和;本莊一大 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彥;金相允 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,其中,包括:
涂布膜形成單元,具有涂布室,且在所述涂布室內部對基板的表面涂布表面張力比水小的低表面張力液體以形成涂布膜;
升華單元,具有升華室,且在所述升華室內部使形成于所述基板的表面的所述涂布膜升華;
減壓單元,將所述升華室內部減壓至比大氣壓低的壓力;
主搬運單元,將基板搬入所述涂布室;
局部搬運單元,從所述涂布室向所述升華室搬運基板;以及
涂布膜狀態保持單元,在所述局部搬運單元從所述涂布室向所述升華室搬運所述基板的期間,使所述涂布膜的狀態保持為由所述涂布膜形成單元形成的所述涂布膜的狀態;
所述局部搬運單元,以按照通過局部搬運室的搬運路徑來搬運所述基板的方式而構成;
所述局部搬運室與所述升華單元連通。
2.如權利要求1所記載的基板處理裝置,其中,
所述涂布膜形成單元包括:
基板保持單元,水平保持基板;
液體供給單元,對由所述基板保持單元所保持的基板供給低表面張力液體;以及
冷卻固化單元,在低表面張力液體從所述液體供給單元供給至基板之后,開始基板的冷卻,使所述低表面張力液體冷卻至低于熔點的溫度,形成由所述低表面張力液體的固體構成的所述涂布膜。
3.如權利要求1所記載的基板處理裝置,其中,
所述涂布膜狀態保持單元包括液化阻止單元,所述液化阻止單元阻止所述基板上的涂布膜從固體回到液體。
4.如權利要求3所記載的基板處理裝置,其中,
所述液化阻止單元包括冷卻維持單元,所述冷卻維持單元將所述基板上的涂布膜維持在低于所述低表面張力液體的熔點的溫度。
5.如權利要求4所記載的基板處理裝置,其中,
所述冷卻維持單元包括機械臂冷卻單元,所述機械臂冷卻單元冷卻所述局部搬運單元的搬運機械臂。
6.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述涂布膜狀態保持單元包括升華阻止單元,所述升華阻止單元阻止所述基板上的涂布膜升華。
7.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述冷卻固化單元,使由所述基板保持單元保持的所述基板,接觸所述低表面張力液體的低于熔點的流體。
8.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述冷卻固化單元包括冷卻板,所述冷卻板接觸或接近由所述基板保持單元保持的所述基板的下表面,以冷卻該基板。
9.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述冷卻固化單元包括液態氮供給單元,所述液態氮供給單元對由所述基板保持單元保持的所述基板供給液態氮。
10.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述液體供給單元包括低表面張力液體供給配管,所述低表面張力液體供給配管可供所述低表面張力液體流通,且具有朝向所述基板的表面噴出所述低表面張力液體的噴出口;
所述涂布膜形成單元還包括低表面張力液體溫度調節單元,所述低表面張力液體溫度調節單元將所述低表面張力液體供給配管的配置于所述涂布室內部的部分,調節至所述低表面張力液體的熔點以上的溫度。
11.如權利要求2所記載的基板處理裝置,其中,
所述涂布膜形成單元包括:
噴出口,將所述低表面張力液體向所述基板的表面噴出;以及
噴出口高度調整單元,調整所述噴出口距離所述基板的高度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





