[發(fā)明專利]基體保護(hù)膜、附著防止構(gòu)件及附著防止構(gòu)件的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780083902.8
• 申請日: 2017-12-21
• 公開（公告）號: CN110225895B
• 公開（公告）日: 2021-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 緒方四郎;須田修平;高宮祥太
• 申請（專利權(quán)）人: 星和電機(jī)株式會社
• 主分類號: C03C17/42
• 分類號: C03C17/42;B08B17/02;B32B7/02;B32B7/023;B32B9/00;C03C17/38
• 代理公司: 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;霍玉娟

1.一種基體保護(hù)膜，是降低物質(zhì)向基體的表面附著的基體保護(hù)膜，所述基體保護(hù)膜的特征在于，

所述基體保護(hù)膜由在Ti、Si的氧化物中摻雜金屬而具有靜電排斥力的第一層、以及對表面自由能進(jìn)行控制的第二層構(gòu)成，所述第一層形成于所述基體表面上，所述第二層形成于該第一層的表面上，

所述第二層由50mJ/m²以下的低表面自由能的官能團(tuán)形成，該第二層的厚度小于1nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基體保護(hù)膜，其特征在于，所述官能團(tuán)為作為自組裝單分子膜的甲基或者己基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基體保護(hù)膜，其特征在于，所述官能團(tuán)為由烷基、亞烷基、苯基、芐基、苯乙基、羥基苯基、氯苯基、氨基苯基、萘基、氨茴基、芘基、噻吩基、吡咯基、環(huán)己基、環(huán)己烯基、環(huán)戊基、環(huán)戊烯基、吡啶基、氯甲基、甲氧基乙基、羥乙基、氨基乙基、氰基、巰基丙基、乙烯基、丙烯酰氧基乙基、甲基丙烯酰氧基乙基、環(huán)氧丙氧基丙基、或者乙酰氧基形成的烴系的疏水基。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基體保護(hù)膜，其特征在于，所述官能團(tuán)為由氟代烷基、氟代亞烷基、氟代苯基、氟代芐基、氟代苯乙基、氟代萘基、氟代氨茴基、氟代芘基、氟代噻吩基、氟代吡咯基、氟代環(huán)己基、氟代環(huán)己烯基、氟代環(huán)戊基、氟代環(huán)戊烯基、氟代吡啶基、氟代甲氧基乙基、氨基氟乙基、氟乙烯基、或者氟乙酰氧基形成的氟化物系的疏水疏油基。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基體保護(hù)膜，其特征在于，摻雜金屬為從由金、銀、鉑、銅、鋯、錫、錳、鎳、鈷、鐵、鋅、堿金屬、以及堿土金屬構(gòu)成的組中選擇的至少一種金屬元素。

6.一種附著防止構(gòu)件，其通過在玻璃制成或者樹脂制成的基體的表面上形成有權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的基體保護(hù)膜而成。

7.一種附著防止構(gòu)件的形成方法，其是權(quán)利要求6所述的形成有基體保護(hù)膜而成的附著防止構(gòu)件的形成方法，

在所述附著防止構(gòu)件的形成方法中，在基體的表面上形成第一層后，在該第一層的表面上，通過自組裝單分子膜(SAM)的化學(xué)性吸附、基于等離子體CVD的蒸鍍、基于溶膠凝膠法的形成、納米粒子的涂布、使用表面改性劑的方法、基于交替層疊法的薄膜形成、復(fù)合鍍覆、電泳法、或者蝕刻處理來形成厚度小于1nm的第二層。