[發(fā)明專(zhuān)利]在碳化硅上制造絕緣層的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780083624.6
• 申請(qǐng)日: 2017-12-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110199380B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小松雄爾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: ZF腓德烈斯哈芬股份公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/316
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/316;H01L21/04;H01L29/16
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;曲盛

1.一種在碳化硅(SiC)上制造絕緣層的方法，包括以下步驟：

-準(zhǔn)備所述碳化硅(SiC)的表面，

-在低于400℃的溫度下在所述表面上形成所述絕緣層的第一部分(700、901、951)，所述第一部分是硅氧化物，

-通過(guò)在所述第一部分上沉積介電膜來(lái)形成所述絕緣層的第二部分，

-在形成所述絕緣層的第一部分(700、901、951)期間，利用光源(LS)用波長(zhǎng)低于和/或等于450nm的光照射所述表面，其中所述光源(LS)至少含有燈(La)和/或激光器(LX)和/或等離子體，其中通過(guò)使所述表面暴露于臭氧(O₃)來(lái)形成作為所述絕緣層的第一部分(700、901、951)的硅氧化物，所述臭氧至少部分地通過(guò)照射所述碳化硅(SiC)的表面的光從氧氣(O₂)產(chǎn)生，且特征在于將氮氧化物與所述氧氣一起提供。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述波長(zhǎng)等于和/或低于380nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述光源將光子密度高于所述表面上的碳原子密度的光發(fā)射至所述表面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述燈(La)為發(fā)光二極管。

5.一種在碳化硅(SiC)上制造絕緣層的方法，包括以下步驟：

-準(zhǔn)備所述碳化硅(SiC)的表面，

-在低于400℃的溫度下在所述表面上形成所述絕緣層的第一部分(700、901、951)，所述第一部分是硅氧化物，

-通過(guò)在所述第一部分上沉積介電膜來(lái)形成所述絕緣層的第二部分，

-在形成所述絕緣層的第一部分(700、901、951)之后，利用光源(LS)用波長(zhǎng)低于和/或等于450nm的光照射所述表面，特征在于在所述絕緣層的第一部分(700、901、951)與第二部分的形成之間，利用至少含有氫的氣氛進(jìn)行所述光照射。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于所述氫至少作為分子和/或離子和/或自由基提供。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述離子和/或所述自由基是利用等離子體和/或催化分解提供的。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于由所述等離子體產(chǎn)生的光用作所述光源(LS)以照射所述絕緣層的第一部分(700、901、951)。