[發(fā)明專利]基于納米顆粒的電阻式存儲(chǔ)器設(shè)備及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780082029.0
• 申請(qǐng)日: 2017-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN110140227B
• 公開（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·盧茲;J·里爾;M·D·阿波達(dá)卡;D·斯圖爾特;萬(wàn)雷;B·特里斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 閃迪技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H10N70/20
• 分類號(hào): H10N70/20;H10B63/00
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 孫尚白

1.一種制造存儲(chǔ)器單元的方法，包括：

在襯底之上形成第一電極；

通過(guò)將包含聚合物配體接枝的納米顆粒的液體分散體分配在所述第一電極上來(lái)提供聚合物配體接枝的存儲(chǔ)器材料納米顆粒，其中所述聚合物配體接枝的存儲(chǔ)器材料納米顆粒形成由聚合物配體制成的包埋所述存儲(chǔ)器材料納米顆粒的聚合物基體，其中所述聚合物基體位于所述第一電極之上；以及

在所述聚合物基體之上形成第二電極；

其中所述存儲(chǔ)器單元包括電阻式存儲(chǔ)器單元，并且所述存儲(chǔ)器材料納米顆粒包括電阻式存儲(chǔ)器納米顆粒；并且

其中所述方法包括選自以下的至少一個(gè)額外的處理步驟：

在形成所述第二電極之前從所述存儲(chǔ)器材料納米顆粒去除所述聚合物基體的第一額外的處理步驟；或

提供具有與所述聚合物配體接枝的納米顆粒的所述納米顆粒不同的組成的附加的納米顆粒的第二額外的處理步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包括所述第一額外的處理步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中：

去除所述聚合物基體包括通過(guò)熱分解、等離子處理或暴露于從所述納米顆粒脫下所述聚合物配體的溶劑或酸蒸氣來(lái)去除所述聚合物配體；

在去除所述聚合物配體之后，所有納米顆粒的至少50％接觸另一個(gè)納米顆粒；并且

在去除所述聚合物配體之后，在所述第一電極和所述第二電極之間形成由所述納米顆粒的子集組成的連續(xù)路徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括在去除所述聚合物配體之后所述納米顆粒塌陷之后將所述納米顆粒燒結(jié)在一起。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中從所述存儲(chǔ)器材料納米顆粒去除所述聚合物基體包括使用原子層沉積滲透工藝引起前體材料滲透到所述液體分散體的材料中，從而用無(wú)機(jī)基體替換所述聚合物基體，其中所述前體材料在與聚合物配體接枝的納米顆粒的材料反應(yīng)或聚合物配體接枝的納米顆粒的材料的取代后形成所述基體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

所述納米顆粒包括硫?qū)僭鼗锵嘧兇鎯?chǔ)器材料納米顆粒；

所述無(wú)機(jī)基體形成投射材料襯墊，所述投射材料襯墊將所述第一電極連接到所述第二電極；

所述投射材料襯墊具有介于硫?qū)僭鼗锵嘧兇鎯?chǔ)器材料的低電阻狀態(tài)和高電阻狀態(tài)之間的電阻率；并且

所述電阻式存儲(chǔ)器單元包括投射式存儲(chǔ)器單元。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

所述納米顆粒包括金屬氧化物納米顆粒；

所述無(wú)機(jī)基體形成所述金屬氧化物納米顆粒的屏障材料；并且

所述電阻式存儲(chǔ)器單元包括屏障調(diào)制單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括使用原子層沉積滲透工藝在定位在所述聚合物基體中的每個(gè)所述納米顆粒周圍形成無(wú)機(jī)殼。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：

所述納米顆粒包括金屬氧化物納米顆粒；

所述無(wú)機(jī)殼形成所述金屬氧化物納米顆粒的屏障材料；并且

所述電阻式存儲(chǔ)器單元包括屏障調(diào)制單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述納米顆粒包括由無(wú)機(jī)屏障材料殼圍繞的金屬氧化物納米顆粒核；并且

所述電阻式存儲(chǔ)器單元包括屏障調(diào)制單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述方法包括所述第二額外的處理步驟。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中兩種或更多種類型的納米顆粒的超晶格定位在所述存儲(chǔ)器單元中。