[發明專利]基于氧化鋁陶瓷的電絕緣體、其制造方法、以及真空管

有效

• 申請號: 201780081924.0
• 申請日: 2017-11-02
• 公開（公告）號: CN110168695B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: P·波拉德;C·波拉特
• 申請（專利權）人: 塔萊斯公司
• 主分類號: H01J35/16
• 分類號: H01J35/16;H01B3/12;C04B35/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張海濤

1.一種電絕緣體(14)，用于使真空管(10)的至少一個電極(12、13)絕緣，帶電粒子束(16)流經所述真空管，所述電絕緣體(14)由氧化鋁基陶瓷形成，其特征在于所述陶瓷由多晶材料形成，在所述多晶材料的邊界之間存在2重量％至8重量％的玻璃相，至少一種金屬氧化物從所述電絕緣體(14)的表面(20)擴散到所述多晶材料中，金屬氧化物濃度隨著離所述表面(20)的距離和進入陶瓷的深度而逐漸降低。

2.如權利要求1所述的電絕緣體，其特征在于從所述表面(20)到所述至少一種金屬氧化物還未擴散到的絕緣體深度，所述電絕緣體表現出電阻的連續變化和介電常數的連續變化。

3.如前述權利要求中任一項所述的電絕緣體，其特征在于所述玻璃相在5重量％和7重量％之間。

4.如權利要求1-2中任一項所述的電絕緣體，其特征在于所述玻璃相包括與填料混合的一種或多種堿土金屬化合物，所述填料包括選自由二氧化硅和氧化鋯構成的組中的至少一種成分。

5.如權利要求1-2中任一項所述的電絕緣體，其特征在于所述至少一種金屬氧化物包括鉻氧化物和鈦氧化物。

6.如權利要求1-2中任一項所述的電絕緣體，其特征在于所述電絕緣體(14)是管狀形狀，并且所述至少一種金屬氧化物擴散起始的表面(20)是所述管狀形狀的內表面。

7.一種制造如前述權利要求中任一項所述的電絕緣體的方法，其特征在于所述方法包括在絕緣體的表面上沉積至少一種金屬氧化物在溶劑中的溶液的第一步驟，隨后對所述絕緣體進行熱處理的第二步驟，允許所述至少一種金屬氧化物擴散到陶瓷的玻璃相中。

8.如權利要求7所述的制造電絕緣體的方法，其特征在于，在所述第二步驟中，將還原氣氛下的期間與所述還原氣氛下的期間相比更加氧化氣氛下的期間相連使用。

9.如權利要求7所述的制造電絕緣體的方法，其特征在于，在所述第二步驟之前，氧化鋁相對于氧是亞化學計量的。

10.一種真空管，其特征在于所述真空管包括如權利要求1至5中任一項所述的電絕緣體(14)、以及由所述電絕緣體(14)絕緣的至少一個電極(12、13)。

11.如權利要求10所述的真空管，所述真空管的所述電絕緣體(14)是根據權利要求7的方法來制造的，其特征在于所述電絕緣體(14)被與所述至少一個電極(12、13)形成電接觸的第一金屬化層(42)部分地覆蓋，并且沉積物(41)部分地覆蓋所述第一金屬化層。

12.如權利要求11所述的真空管，其特征在于所述電絕緣體(14)被設置在所述第一金屬化層(42)之上的第二金屬化層(43)部分地覆蓋，包括被設置在被所述沉積物(41)覆蓋的所述第一金屬化層(42)的部分之上的第二金屬化層(43)部分地覆蓋。

13.如權利要求10至12中任一項所述的真空管，其特征在于所述管是X射線發生器。

14.如權利要求10至12中任一項所述的真空管，其特征在于所述管是射頻放大器。