[發明專利]用于蝕刻半導體結構的含碘化合物

有效

• 申請號: 201780081811.0
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN110178206B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 維賈伊·蘇爾拉;拉胡爾·古普塔;孫卉;文卡特斯瓦拉·R·帕倫姆;南森·斯塔福德;法布里齊奧·馬切吉亞尼;文森特·M·歐馬杰;詹姆斯·羅耶
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/308;H10B41/20;H10B43/20;H10B12/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張蓉珺;林柏楠

1.一種形成圖案化結構的方法，該方法包括：

將含碘蝕刻化合物的蒸氣引入基板上含有含硅膜的反應腔室中，其中該含碘蝕刻化合物選自由以下各項組成的組：C₂H₂FI、C₂H₃F₂I、C₂H₄FI、C₃HF₄I、C₃H₂F₃I、C₃H₂F₅I、C₃H₃F₄I、以及C₃H₄F₃I；

將惰性氣體引入該反應腔室中；以及

活化等離子體以產生能夠從該基板蝕刻該含硅膜的經活化的含碘蝕刻化合物，以形成該圖案化結構。

2.如權利要求1所述的方法，該方法進一步包括從該反應腔室中移除揮發性副產物，其中該經活化的含碘蝕刻化合物與該含硅膜反應以形成這些揮發性副產物。

3.如權利要求2所述的方法，該方法進一步包括將氧化劑引入該反應腔室中。

4.如權利要求3所述的方法，其中，該氧化劑選自由以下各項組成的組：O₂、O₃、CO、CO₂、NO、N₂O、NO₂、及其組合。

5.如權利要求2所述的方法，該方法進一步包括將蝕刻氣體引入該反應腔室中。

6.如權利要求5所述的方法，其中，該蝕刻氣體選自由以下各項組成的組：cC₄F₈、cC₅F₈、C₄F₆、CF₄、CH₃F、CF₃H、CH₂F₂、COS、F-C≡N、CS₂、SO₂、反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯(反式-C₄H₂F₆)、順式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯(順式-C₄H₂F₆)、六氟異丁烯(C₄H₂F₆)、反式-1,1,2,2,3,4-六氟環丁烷(反式-C₄H₂F₆)、1,1,2,2,3-五氟環丁烷(C₄H₃F₅)、1,1,2,2-四氟環丁烷(C₄H₄F₄)、以及順式-1,1,2,2,3,4-六氟環丁烷(順式-C₄H₂F₆)。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該惰性氣體選自由以下各項組成的組：He、Ar、Xe、Kr、Ne、N₂、或其組合。

8.如權利要求1至7中任一項所述的方法，其中，該含硅膜包含以下各項的層：氧化硅、氮化硅、結晶硅、低-k?SiCOH、SiOCN、SiON、或其組合。

9.如權利要求8所述的方法，其中結晶硅是多晶硅。