[發(fā)明專利]鋯前體、鉿前體、鈦前體及使用其沉積含第4族的膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780081314.0
• 申請日: 2017-12-14
• 公開（公告）號: CN110121571B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 尤利安·伽蒂諾;金大鉉;盧源泰;伽蒂諾諭子;讓-馬克·吉拉爾
• 申請（專利權(quán)）人: 喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C04B35/622;C07F17/00;C23C16/50;C23C16/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李穎;林柏楠

1.一種形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，該組合物包含具有下式的第4族過渡金屬前體：

L-M-C₅R₃-1-[(ER₂)_m-(ER₂)_n-L′]-2-[(ER₂)_o-(ER₂)_p-L′]-和

L-M-C₅R₃-1-[(ER₂)_n-(ER₂)_m)-L′]-3-[(ER₂)_o-(ER₂)_p-L′]-，

分別指的是以下結(jié)構(gòu)式：

其中M為以η⁵鍵合模式鍵合至Cp基團(tuán)的Ti、Zr或Hf；每個E獨(dú)立地為C、Si、B或P；m和n獨(dú)立地為0、1或2；m+n1；o和p獨(dú)立地為0、1、或2；o+p1；每個R獨(dú)立地為氫或C₁-C₄烴基；每個L獨(dú)立地為-1陰離子配體；并且每個L′獨(dú)立地為NR″或O，其中R″是H或C₁-C₄烴基。

2.如權(quán)利要求1所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，該-1陰離子配體選自由以下組成的組：NR′₂、OR′、Cp、脒基、β-二酮及酮亞胺，其中R′是H或C₁-C₄烴基。

3.如權(quán)利要求2所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，每個E為C。

4.如權(quán)利要求3所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，M為Zr。

5.如權(quán)利要求4所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，該第4族過渡金屬前體選自由以下組成的組：(Me₂N)-Zr-C₅H₃-1-(CH₂-CH₂-NMe)-3-(CH₂-CH₂-NMe)-、(Me₂N)-Zr-C₅H₂-1-Me-2-(CH₂-CH₂-NMe)-4-(CH₂-CH₂-NMe)-、(Cp)-Zr-C₅H₃-1-(CH₂-CH₂-NMe)-3-(CH₂-CH₂-NMe)-、和(Cp)-Zr-C₅H₂-1-Me-2-(CH₂-CH₂-NMe)-4-(CH₂-CH₂-NMe)-。

6.如權(quán)利要求3所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，M為Hf。