[發明專利]使用納米粒子模板的2D納米片的模板輔助合成

有效

• 申請號: 201780081226.0
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN110312573B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 史蒂文·丹尼爾斯;奈杰爾·L·皮克特
• 申請（專利權）人: 納米2D材料有限公司
• 主分類號: B01J27/02
• 分類號: B01J27/02;C01G39/00;C01G41/00;C01B19/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李新紅;王旭

1.一種用于制備二維過渡金屬二硫屬化物納米片的方法，所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片的厚度為1至10個原子或分子單層，并且其橫向尺寸大于所述厚度，所述方法包括：

在納米粒子模板的存下，使二維過渡金屬二硫屬化物納米片前體在溶液中反應而在所述納米粒子模板的表面上形成二維過渡金屬二硫屬化物納米片；

將所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片從所述納米粒子模板的表面移除；以及

將所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片與所述納米粒子模板分離，

其中：

所述納米粒子模板包括具有第一晶體結構的材料，

所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片包括具有第二晶體結構的材料，并且

所述第一晶體結構和所述第二晶體結構之間的晶格失配為5％以下。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一晶體結構和所述第二晶體結構之間的晶格失配為3％以下。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一晶體結構是六方的。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片的橫向尺寸處于量子限制區域并且其厚度為1-5個原子或分子單層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述納米粒子模板是量子點。

6.根據權利要求1所述的方法，其中將所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片從所述納米粒子模板的表面移除包括插層和剝離。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片與所述納米粒子模板分離包括尺寸選擇性分離技術。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述尺寸選擇性分離技術是溶劑極性純化。

9.一種物質組合物，所述組合物包含：

納米粒子模板，所述納米粒子模板包括具有第一晶體結構的材料；和

二維過渡金屬二硫屬化物納米片，所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片至少部分地覆蓋所述納米粒子模板的表面，所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片的厚度為1至10個原子或分子單層，并且其橫向尺寸大于所述厚度，并且所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片包括具有第二晶體結構的材料；并且

其中所述第一晶體結構和所述第二晶體結構之間的晶格失配為5％以下。

10.根據權利要求9所述的組合物，其中所述第一晶體結構和所述第二晶體結構之間的晶格失配為3％以下。

11.根據權利要求9所述的組合物，其中所述第一晶體結構是六方的。

12.根據權利要求9所述的組合物，其中所述納米粒子模板是納米錐。

13.根據權利要求9所述的組合物，其中所述納米粒子模板是量子點。

14.根據權利要求9所述的組合物，其中所述納米粒子模板是ZnO納米粒子。

15.根據權利要求9所述的組合物，其中所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片包括MoS₂、MoSe₂或WS₂。

16.根據權利要求9所述的組合物，其中所述二維過渡金屬二硫屬化物納米片的橫向尺寸處于量子限制區域并且其厚度為1-5個原子或分子單層。

17.根據權利要求9所述的組合物，其中所述納米粒子模板是金屬納米粒子或聚合物納米粒子。