[發明專利]射頻電容耦合蝕刻反應器

有效

• 申請號: 201780081151.6
• 申請日: 2017-10-17
• 公開（公告）號: CN110100297B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: J.維沙特;J.維沙特
• 申請（專利權）人: 瑞士艾發科技
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 鄒松青;譚祐祥

1.一種電容耦合射頻真空蝕刻設備，所述電容耦合射頻真空蝕刻設備被構造成用于在預定條件下進行蝕刻操作并且包括：

?真空接收件，所述真空接收件也被稱為外殼；

?在所述真空接收件中，等離子體空間僅與包含第一電極裝置和面對所述第一電極裝置的第二電極裝置的一個電極裝置處于操作接觸；

?所述第一電極裝置限定暴露于所述等離子體空間的第一電極表面；

?所述第二電極裝置限定暴露于所述等離子體空間的第二電極表面，并且包括工件載體的表面；

?所述第一電極表面大于所述第二電極表面；

?所述第一電極裝置經由匹配箱裝置電連接到射頻產生器裝置的輸出裝置，所述射頻產生器裝置產生等離子體供應射頻信號；

其中，所述第一電極裝置包括具有周圍表面的金屬主體，所述周圍表面自由地暴露于并浸沒在所述等離子體空間中，所述周圍表面是所述第一電極表面的一部分。

2.根據權利要求1所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述金屬主體包括貫通開口和/或貫通縫的圖案，所述貫通開口和/或貫通縫被定制成使得在操作中等離子體在所述預定條件下在所述貫通開口中燃燒。

3.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述第一電極表面包括沿著第一平面延伸的第一表面區域、沿著第二平面延伸的第二表面區域，所述第一和第二表面區域限定間隙，所述間隙被定制成使得在操作中等離子體在所述預定條件下在所述間隙中并沿著所述間隙燃燒。

4.根據權利要求3所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述第二電極表面包括沿著第三平面延伸的表面區域，并且所述第一、第二及第三平面是平行平面。

5.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述金屬主體是板。

6.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中：

?所述射頻產生器裝置在所述輸出裝置處產生處于特高頻率的至少一個第一等離子體供應信號，并在所述輸出裝置處產生處于比所述特高頻率更低的高頻率的至少一個第二等離子體供應信號，

?所述第一電極裝置經由所述匹配箱裝置電連接到所述輸出裝置并且在操作中由所述第一等離子體供應信號和由所述第二等離子體供應信號來供電；

?至少在蝕刻操作期間，所述第二電極裝置電連接到系統接地片。

7.根據權利要求6所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述第一等離子體供應信號和所述第二等離子體供應信號在局部不同的接觸點處連接到所述第一電極裝置。

8.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述射頻產生器裝置在多于一個局部不同的接觸點處連接到所述第一電極裝置。

9.根據權利要求6所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，有效的是：

10 MHz ≤ f_vhf ≤ 400 MHz

以及：

0.01 f_vhf ≤ f_hf ≤ 0.5 f_vhf

f_hf是所述高頻率的供應信號的頻率，并且f_vhf是所述特高頻率的供應信號的頻率。

10.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述工件載體能夠朝向所述第一電極裝置以及從所述第一電極裝置驅動地移動。

11.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述工件載體無法朝向所述第一電極裝置以及從所述第一電極裝置移動。

12.根據權利要求1或2所述的電容耦合射頻真空蝕刻設備，其中，所述工件載體無法朝向所述第一電極裝置以及從所述第一電極裝置移動，并且所述第一電極裝置包括用于加載/卸載工件的能夠驅動地移動的門。