[發(fā)明專(zhuān)利]多晶硅制造裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780080547.9
• 申請(qǐng)日: 2017-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110114310B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李熙東;金祉浩;樸成殷;全孝鎮(zhèn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 韓華化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/027
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/027;C01B33/035
• 代理公司: 北京金信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225
• 代理人: 李奕伯;劉英

1.一種多晶硅制造裝置，包括：

反應(yīng)器，在所述反應(yīng)器中引入反應(yīng)氣體，從而通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)方法執(zhí)行多晶硅制造加工；

狹縫型噴嘴，所述狹縫型噴嘴安裝在所述反應(yīng)器處，并且在所述反應(yīng)器內(nèi)噴射氣體以在加工期間防止硅顆粒的吸附；

電極，所述電極設(shè)置在所述反應(yīng)器的底部處；以及

電極罩，所述電極罩設(shè)置在所述反應(yīng)器內(nèi)部的所述電極處，以覆蓋所述電極，

其中

所述狹縫型噴嘴安裝在所述反應(yīng)器的內(nèi)壁和所述底部中的至少一個(gè)上，其中

安裝在所述底部的所述狹縫型噴嘴具有沿彼此相反的方向開(kāi)口的一對(duì)狹縫，以便以與所述底部的預(yù)定分離距離沿平行于所述底部的左右方向噴射氣體并且直接向所述電極罩噴射氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅制造裝置，其中

安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴具有沿彼此相反的方向開(kāi)口的一對(duì)狹縫，以便以與所述內(nèi)壁的預(yù)定分離距離沿平行于所述內(nèi)壁的上下方向噴射氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其中

安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴在所述反應(yīng)器的所述內(nèi)壁上設(shè)置有多個(gè)，并且

多個(gè)狹縫型噴嘴包括兩個(gè)組噴嘴和單個(gè)噴嘴，以沿著所述反應(yīng)器的周長(zhǎng)形成具有等間隔的交替布置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅制造裝置，其中

所述組噴嘴中的一個(gè)狹縫型噴嘴通過(guò)第一高度與所述底部分離，并且

另一個(gè)狹縫型噴嘴在所述第一高度處沿著所述反應(yīng)器的高度方向通過(guò)第一間隔而分離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅制造裝置，其中

所述單個(gè)噴嘴通過(guò)比所述第一高度高的第二高度與所述底部分離，并且沿著對(duì)角線方向以第二間隔與所述組噴嘴分離。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其中

在安裝在所述底部的所述狹縫型噴嘴中或者在安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴中，狹縫間隔根據(jù)加工條件而被設(shè)定為1mm以下，并且氣體噴射速度在狹縫中被設(shè)定為100m/s以上。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其中

所述氣體包括氫氣或者氯化氫。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其中

安裝在所述底部的所述狹縫型噴嘴或者安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴在大量地產(chǎn)生所述硅顆粒的60小時(shí)的運(yùn)行時(shí)間后噴射氣體，并且在加工期間周期性或連續(xù)地噴射氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅制造裝置，其中

在所述反應(yīng)器的所述內(nèi)壁處，當(dāng)安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴周期性噴射氣體時(shí)，

周期性的噴射在60小時(shí)的沉積加工之后間隔1小時(shí)噴射氣體10分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅制造裝置，其中

在所述反應(yīng)器的所述底部處，當(dāng)安裝在所述底部的所述狹縫型噴嘴周期性噴射氣體時(shí)，

周期性的噴射在60小時(shí)的沉積加工之后間隔30分鐘噴射氣體10分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅制造裝置，其中

安裝在所述底部的所述狹縫型噴嘴或者安裝在所述內(nèi)壁的所述狹縫型噴嘴由Incoloy800H、Incoloy 800、SS316L、SS316以及哈氏合金中的一種材料形成。