[發(fā)明專利]耐侵蝕/腐蝕阻擋物涂層

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780080340.1
• 申請日: 2017-12-22
• 公開（公告）號: CN110892088A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·M·霍爾;T·齊納恩;L·M·普拉賽克;S·M·科龍;W·S·哈利根;M·E·費拉羅
• 申請（專利權(quán)）人: 康納斯技術(shù)公司;阿爾弗雷德大學(xué)
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/08;C23C16/34
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.一種改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其用于半導(dǎo)體加工所用的化學(xué)氣相沉積反應(yīng)腔室的高溫酸性環(huán)境中，該改進包括無氧化鋁涂層，所述無氧化鋁涂層在熔融二氧化硅表面上包含足以在鹽酸存在下、在超過1000℃的溫度下抵抗侵蝕的鉭化合物阻擋物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述裝置是熱電偶、星形輪、腔室壁或芯片制造中使用的其他熔融二氧化硅裝置之一。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述阻擋物足以在超過1150℃的溫度下抵抗侵蝕。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述阻擋物足以在超過1250℃的溫度下抵抗侵蝕。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述涂層是通過如下方法施加的：將(i)至少一種鉭化合物、(ii)至少一種觸變性基質(zhì)組分；以及(iii)惰性溶劑的混合物施加至熔融二氧化硅表面，并使混合物發(fā)生熱化學(xué)反應(yīng)以形成阻擋物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述混合物在施加時具有小于或等于2的pH。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述鉭化合物選自碳化鉭化合物(TaC_x)、硼化鉭(TaB₂)、碳化鉭鉿(Ta₄HfC₅)、氮化鉭(TaN)、五氟化鉭(TaF₅)、五碘化鉭(Ta₂I₁₀)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)、碲化鉭(TaTe₂)、鋁化鉭(III)(TaAl₃)、硫化鉭(IV)(TaS₂)、溴化鉭(V)(Ta₂Br₁₀)、乙氧基鉭(V)(Ta₂(OC₂H₅)₁₀)、氯化鉭(V)(TaCl₅)、TaO₂、TaCl₄和Ta₃Al，以及它們的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述鉭化合物是氯化鉭(V)(TaCl₅)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述至少一種觸變性基質(zhì)組分包含硅酸鹽化合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述硅酸鹽化合物是熱解法二氧化硅(SiO₂)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述惰性溶劑是超純水。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述組分(i):(ii)的以重量計的比為約3:1。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述組分(i):(iii)的以重量百分比計的比為約75:25，并且其中組分(i)為氯化鉭(V)(TaCl₅)，組分(ii)是熱解法二氧化硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的改進的經(jīng)熔融二氧化硅表面處理的裝置，其中所述惰性溶劑中固體的重量為約13％w/v，并且其中惰性溶劑是超純水。