[發(fā)明專利]用于基于納米通道的貨物遞送的貫穿微結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780080259.3 | 申請日： | 2017-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN110494126A | 公開（公告）日： | 2019-11-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D·加列戈·佩雷茲;C·森;N·伊基塔·卡斯特羅;L·常 | 申請（專利權(quán)）人： | 俄亥俄州國家創(chuàng)新基金會 |
| 主分類號： | A61K9/00 | 分類號： | A61K9/00;A61M5/14;A61M5/158;A61M37/00 |
| 代理公司： | 33239 余姚德盛專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人： | 周積德<國際申請>=PCT/US2017 |
| 地址： | 美國俄*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微結(jié)構(gòu)陣列 納米通道 生物組織 貨物 細(xì)胞層 遞送 可控 封裝 皮膚 | ||
本文提供用于在生物組織、特別是皮膚上或內(nèi)部局部和可控地遞送貨物的裝置和方法。這些裝置允許將貨物遞送到組織的更深的細(xì)胞層。這些裝置包括微結(jié)構(gòu)陣列(包括納米通道)。此外公開一種裝置，包括封裝在框架中的一個或多個微結(jié)構(gòu)陣列。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2016年12月22日提交的美國臨時申請No.62/438,256的權(quán)益，該臨時申請通過引用整體并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米技術(shù)，更具體地說，涉及納米通道和基于納米通道的遞送方法。
背景技術(shù)
遞送治療劑穿過或進(jìn)入生物組織的常用技術(shù)是使用納米通道陣列。然而，目前基于納米通道的遞送方法只能將貨物直接輸送到組織的最外層細(xì)胞層，這顯著限制了該技術(shù)的作用范圍。因此，需要基于納米通道的遞送方法，其可以將貨物遞送到組織的更深的細(xì)胞層。
發(fā)明概述
本文提供用于在生物組織、特別是皮膚上或內(nèi)部局部和可控地遞送貨物的裝置和方法。這些裝置允許將貨物輸送到組織的更深的細(xì)胞層。這些裝置包括微結(jié)構(gòu)陣列(包括納米通道)。
在一些實(shí)施方案中，微結(jié)構(gòu)陣列包括：平面基板，具有頂表面和底表面；與平面基板的頂表面流體連通的儲庫；和從平面基板的底表面突出的多個微結(jié)構(gòu)。多個微結(jié)構(gòu)中的每個包括固體部分，從基部到位于距所述平面基板的底表面的高度的遠(yuǎn)端尖端逐漸變細(xì)，從而形成微結(jié)構(gòu)表面。多個微結(jié)構(gòu)中的每個還包括第一遞送通道，從所述平面基板的頂表面延伸到所述微結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的第一通道開口，從而將所述儲庫流體連接到所述第一通道開口。多個微結(jié)構(gòu)中的每個還包括第二遞送通道，從所述平面基板的頂表面延伸到所述微結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的第二通道開口，從而將所述儲庫流體連接到所述第二通道開口。
在一些實(shí)施方案中，第一通道開口位于與所述平面表面平行的第一平面內(nèi)并且所述第二通道開口位于與所述平面基板平行的第二平面內(nèi)。在這些實(shí)施方案中，所述第一平面與所述第二平面向遠(yuǎn)端間隔開。在這些實(shí)施方案的一些中，所述第一平面與所述第二平面間隔開遠(yuǎn)端尖端和平面基板底部之間的高度的20％至60％的距離。在其他實(shí)施方案中，所述第一通道開口位于所述遠(yuǎn)端尖端。
在一些實(shí)施方案中，多個微結(jié)構(gòu)中的每一個還包括從所述平面基板的頂表面延伸到所述微結(jié)構(gòu)表面內(nèi)的第三通道開口的第三遞送通道，從而將所述儲庫流體連接到所述第三通道開口。在這些實(shí)施方案的一些中，第一通道開口位于與所述平面基板平行的第一平面處，所述第二通道開口位于與所述平面基板平行的第二平面內(nèi)，所述第三通道開口位于與所述平面基板平行的第三平面內(nèi)。在這些實(shí)施方案中，所述第一平面與所述第二平面向遠(yuǎn)端間隔開并且所述第二平面與所述第三平面向遠(yuǎn)端間隔開。在這些實(shí)施方案的一些中，所述第一平面與所述第二平面間隔開遠(yuǎn)端尖端和平面基板底部之間的高度的20％至60％的距離，并且所述第二平面與所述第三平面間隔開遠(yuǎn)端尖端和平面基板底部之間的高度的20％至60％的距離。
在一些實(shí)施方案中，遠(yuǎn)端尖端和平面基板的底部之間的高度為20微米至1000微米。
在一些實(shí)施方案中，所述基部具有大致圓形的形狀。在其他實(shí)施方案中，所述基部具有大致矩形的形狀。
在一些實(shí)施方案中，固體部分由硅或硅基材料(例如氮化硅)形成。在其他實(shí)施方案中，平面基板由硅或硅基材料形成。在其他實(shí)施方案中，固體部分由陽極氧化鋁形成。在其他實(shí)施方案中，平面基板由陽極氧化鋁形成。
在一些實(shí)施方案中，平面基板還包括多個遞送通道，每個遞送通道從所述平面基板的頂表面延伸到所述平面基板的底表面內(nèi)的通道開口，從而將所述儲庫流體連接到所述平面基板的底表面內(nèi)的通道開口。
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