[發(fā)明專利]光發(fā)射裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780080012.1
• 申請(qǐng)日: 2017-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN110100320A
• 公開（公告）日: 2019-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伯特蘭德·尚比昂;阿德里安·加斯;馬里恩·沃爾博特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 原子能和替代能源委員會(huì)
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38;H01L33/40;H01L33/14
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 徐川;姚開麗

1.一種光發(fā)射裝置(100)，包括：

至少一個(gè)光發(fā)射結(jié)構(gòu)(110)，所述至少一個(gè)光發(fā)射結(jié)構(gòu)包括基本平行的第一面(120)和第二面(130)，

第一電極(160，170)的接觸表面(121，131)，所述第一電極與第一面(120)或第二面(130)接觸，

所述裝置的特征在于，所述第一電極(160，170)適合于施加從所述接觸表面(121，131)的第一區(qū)域朝向至少一個(gè)第二區(qū)域減小的電流密度，所述電流密度能夠通過所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)(110)，

所述接觸表面(121，131)包括中心和外周，所述第一區(qū)域包括所述接觸表面(121，131)的中心，并且所述電流密度有利地在所述第一區(qū)域中最大。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一電極(160，170)從所述接觸表面(121，131)的中心朝向外周沿至少兩個(gè)相反的方向具有減小的厚度分布。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述厚度分布包括平行于所述第一面(120)和所述第二面(130)中的一個(gè)面或另一個(gè)面的梯級(jí)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述厚度分布包括單調(diào)且連續(xù)的減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一電極(160，170)具有與所述第一面(120)和所述第二面(130)中的一個(gè)面或另一個(gè)面織構(gòu)化的金屬接觸表面，所述織構(gòu)化的金屬接觸表面包括金屬接觸區(qū)域(171)和沒有金屬接觸的區(qū)域(172)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置，其中，所述金屬接觸區(qū)域(171)的密度從所述第一區(qū)域向所述第二區(qū)域減小。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的裝置，其中，所述沒有金屬接觸的區(qū)域(172)是形成在所述前電極和/或所述后電極中的凹部。

8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述金屬接觸區(qū)域(172)的形狀為圓形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述至少一個(gè)光發(fā)射結(jié)構(gòu)(110)包括從所述光發(fā)射結(jié)構(gòu)的第一面和第二面中的一個(gè)面朝向所述第一面和第二面中的另一個(gè)面的光發(fā)射層，所述光發(fā)射層位于支撐襯底上，所述支撐襯底具有小于10μm的厚度，并且有利地具有小于5μm的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述光發(fā)射層包括插入第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之間的有源層。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，所述光發(fā)射層包括垂直于所述正面(120)的納米線。

12.一種對(duì)將用于根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的光發(fā)射裝置(100)的第一電極(160，170)進(jìn)行尺寸設(shè)置的方法，所述光發(fā)射裝置包括包含有基本平行的第一面(120)和第二面(130)的至少一個(gè)光發(fā)射結(jié)構(gòu)(110)，所述第一電極(160，170)在接觸表面(121，131)上與所述第一面和所述第二面(120，130)中的一個(gè)面或另一個(gè)面接觸，所述方法包括以下步驟：

a)用于確定將通過所述第一面和/或所述第二面(120，130)的電流密度的分布的步驟，所述電流密度分布從所述接觸表面(121，131)的第一區(qū)域朝向至少一個(gè)第二區(qū)域來(lái)確定；

b)用于制作所述第一電極以再現(xiàn)步驟a)中的所述電流密度分布的步驟。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，執(zhí)行用于確定所述電流密度分布的步驟a)，使得所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的溫度差異小于預(yù)定的溫度差異，有利地，所述預(yù)定的溫度差異小于20℃，甚至更有利地小于10℃，或甚至小于5℃。

14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其中，所述調(diào)整步驟b)包括調(diào)節(jié)所述第一電極的厚度分布。