[發(fā)明專利]改進的通過浮法制備平板玻璃的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780079625.3 | 申請日: | 2017-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN110072820B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | F.勒布瓦;F.布耶 | 申請(專利權)人: | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號: | C03B18/02 | 分類號: | C03B18/02;C03B18/10;C03B18/14 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 黃念 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改進 通過 法制 平板玻璃 方法 | ||
1.一種通過將玻璃帶(8)漂浮在熔融金屬浴上來制備平板玻璃的方法,其中使玻璃帶(8)沿著從浴的上游側(3)縱向移動的方向(L)被驅動直至該浴的下游側(4),其中在浴的上游側處,熔融玻璃被連續(xù)地傾倒到熔融金屬(7)上,在浴的下游側處,凝固的玻璃帶離開該浴,該方法包括:
-使熔融金屬(7)經受具有垂直分量的并沿玻璃帶(8)的縱向移動方向(F)滑動的磁場(B),該磁場(B)被施加到在該浴的區(qū)域(Z)中位于玻璃帶(8)下方的所有或一部分熔融金屬(7),在該區(qū)域(Z)中玻璃滿足以下關系:
其中:
-μ:玻璃的粘度,和
-h:玻璃帶的厚度。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述熔融金屬浴是熔融錫浴。
3.如權利要求1所述的方法,其中選擇磁場(B)以減少或消除在施加磁場(B)的區(qū)域中在與玻璃帶的界面處的熔融金屬中的湍流。
4.如權利要求1-3中任一項所述的方法,其中選擇磁場(B)使得對于在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶的正下方的熔融金屬的至少一部分厚度,熔融金屬沿玻璃帶(8)的縱向移動方向(F)以與玻璃帶(8)相同的速度被驅動。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少5%。
6.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少15%。
7.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少25%。
8.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少33%。
9.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少50%。
10.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少66%。
11.如權利要求4所述的方法,其特征在于,在施加磁場(B)的區(qū)域中位于玻璃帶正下方的熔融金屬(7)的厚度的所述部分對應于在施加磁場(B)的區(qū)域中在玻璃帶(8)下方熔融金屬(7)的總厚度的至少75%。
12.如權利要求1至3中任一項所述的方法,其包括:
-在玻璃帶(8)的縱向移動方向(L)上所測量的浴的所述區(qū)域(Z)的長度的至少15%,使熔融金屬(7)經受所述磁場(B)。
13.如權利要求1至3中任一項所述的方法,其包括:
-在玻璃帶(8)的縱向移動方向(L)上所測量的浴的所述區(qū)域(Z)的長度的至少25%,使熔融金屬(7)經受所述磁場(B)。
14.如權利要求1至3中任一項所述的方法,其包括:
-在玻璃帶(8)的縱向移動方向(L)上所測量的浴的所述區(qū)域(Z)的長度的至少33%,使熔融金屬(7)經受所述磁場(B)。
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