[發(fā)明專利]底側(cè)具有支撐結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780078850.5
• 申請日: 2017-12-15
• 公開（公告）號: CN110100308B
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史蒂芬·諾伊格鮑爾;斯特凡·普費(fèi)弗萊因;龍尼·維爾納
• 申請（專利權(quán)）人: 西門子股份公司
• 主分類號: H01L23/373
• 分類號: H01L23/373;H01L23/367
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 張英

1.一種半導(dǎo)體模塊，

-其中，所述半導(dǎo)體模塊具有襯底(2)，所述襯底由電絕緣材料構(gòu)成，

-其中，在所述襯底(2)的上側(cè)(3)施加有結(jié)構(gòu)化金屬層(4)，至少一個電構(gòu)件(5)經(jīng)由所述結(jié)構(gòu)化金屬層被接觸，

-其中，所述結(jié)構(gòu)化金屬層(4)只在所述襯底(2)的中央?yún)^(qū)域(6)中被施加在所述襯底(2)上，使得在所述襯底(2)的所述上側(cè)(3)上留有包圍中央?yún)^(qū)域(6)的邊緣區(qū)域(7)，在所述邊緣區(qū)域中所述結(jié)構(gòu)化金屬層(4)沒有被施加在所述襯底(2)上，

-其中，在中央?yún)^(qū)域(6)中，接觸層(9)被施加到所述襯底(2)的底側(cè)(8)上，所述接觸層用于接觸冷卻體(10)，所述接觸層與所述結(jié)構(gòu)化金屬層(4)相對置，

其特征在于，在所述襯底(2)的所述底側(cè)(8)上，在邊緣區(qū)域(7)中施加有結(jié)構(gòu)化的支撐結(jié)構(gòu)(11)，所述支撐結(jié)構(gòu)的厚度(d2)對應(yīng)于所述接觸層(9)的厚度(d1)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)(11)與所述接觸層(9)是分離的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)(11)具有多個結(jié)構(gòu)元件(12)，并且，或者在所述結(jié)構(gòu)元件(12)之間只有橋接結(jié)構(gòu)(13)，所述橋接結(jié)構(gòu)具有相比于所述結(jié)構(gòu)元件(12)明顯減小的厚度(d3)，或者所述結(jié)構(gòu)元件(12)是完全相互分離的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，所述結(jié)構(gòu)元件(12)各自只在所述底側(cè)(8)的部分長度(l)和部分寬度(b)上延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，所述結(jié)構(gòu)元件(12)在所述底側(cè)(8)的縱向和橫向上分別形成多個行。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，關(guān)于所述支撐結(jié)構(gòu)(11)的每個任意的部分區(qū)域，所述支撐結(jié)構(gòu)(11)在支撐結(jié)構(gòu)的朝向所述底側(cè)(8)的一端處具有起始橫截面，并且在支撐結(jié)構(gòu)的背離所述底側(cè)(8)的一端處具有留存橫截面，并且橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的增加而首先單調(diào)地減小，直到橫截面具有最小橫截面為止。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，關(guān)于所述支撐結(jié)構(gòu)(11)的每個任意的部分區(qū)域，所述支撐結(jié)構(gòu)(11)在支撐結(jié)構(gòu)的朝向所述底側(cè)(8)的一端處具有起始橫截面，并且在支撐結(jié)構(gòu)的背離所述底側(cè)(8)的一端處具有留存橫截面，并且橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的增加而首先單調(diào)地減小，直到橫截面具有最小橫截面為止。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的增加而嚴(yán)格單調(diào)地減小，直到橫截面具有最小橫截面為止。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，橫截面的減小程度在所述底側(cè)(8)處最大，并且隨著與所述底側(cè)(8)的距離的增加而減緩。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，橫截面的減小程度在所述底側(cè)(8)處最大，并且隨著與所述底側(cè)(8)的距離的增加而減緩。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，從最小橫截面出發(fā)，橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的進(jìn)一步增加又單調(diào)增大。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，從最小橫截面出發(fā)，橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的進(jìn)一步增加又單調(diào)增大。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，

其特征在于，從最小橫截面出發(fā)，橫截面隨著與所述底側(cè)(8)的距離的進(jìn)一步增加又嚴(yán)格地單調(diào)增大。