[發(fā)明專利]極性彈性體微結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201780078835.0 | 申請(qǐng)日: | 2017-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110392938A | 公開(公告)日: | 2019-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | R·G·曼利;K·梅羅特拉;B·J·帕多可;R·瓦迪;N·Z·哲勒夫;朱斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/00 | 分類號(hào): | H01L51/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 張璐;項(xiàng)丹 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光致抗蝕劑 電介質(zhì)材料 極性彈性體 微結(jié)構(gòu) 圖案 蝕刻 涂覆基材 光掩模 抗蝕劑 圖案化 涂覆 顯影 移除 制造 暴露 | ||
1.一種制造極性彈性體的微結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:
用包含極性彈性體的電介質(zhì)材料涂覆基材;
用光致抗蝕劑涂覆電介質(zhì)材料;
使光致抗蝕劑通過光掩模暴露于紫外(UV)光,以在光致抗蝕劑上限定圖案;
對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影以在光致抗蝕劑上形成圖案;
對(duì)電介質(zhì)材料進(jìn)行蝕刻以將圖案從光致抗蝕劑轉(zhuǎn)移到電介質(zhì)材料;以及
從經(jīng)過圖案化的電介質(zhì)材料移除光致抗蝕劑。
2.如權(quán)利要求1所述的方法,所述方法還包括:
在對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影之后并在對(duì)電介質(zhì)材料進(jìn)行蝕刻之前,對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行后烘。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的方法,其包括:在整個(gè)過程期間,將光致抗蝕劑維持在低于光致抗蝕劑的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的方法,其包括:在整個(gè)過程期間,將基材、電介質(zhì)材料和光致抗蝕劑維持在低于200℃的溫度。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的方法,其包括:在整個(gè)過程期間,將光致抗蝕劑維持在低于約125℃的溫度。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的方法,其中,所述蝕刻包括:
使用等離子體或反應(yīng)離子蝕刻工具中的至少一種對(duì)電介質(zhì)材料進(jìn)行干法蝕刻。
7.如權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的方法,其中,極性彈性體包括含氟彈性體。
8.如權(quán)利要求7所述的方法,其中,極性彈性體包括聚(偏二氟乙烯-共-六氟丙烯)(e-PVDF-HFP)。
9.如權(quán)利要求7或權(quán)利要求8所述的方法,其中,極性彈性體具有雙層電容性質(zhì)。
10.一種制造極性彈性體的微結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:
用包含極性彈性體的電介質(zhì)材料涂覆基材;
用金屬涂覆電介質(zhì)材料;
用光致抗蝕劑涂覆金屬;
使光致抗蝕劑通過光掩模暴露于紫外(UV)光,以在光致抗蝕劑上限定圖案;
對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影以在光致抗蝕劑上形成圖案;
對(duì)金屬進(jìn)行蝕刻以將圖案從光致抗蝕劑轉(zhuǎn)移到金屬;以及
從經(jīng)過圖案化的金屬移除光致抗蝕劑。
11.如權(quán)利要求10所述的方法,所述方法還包括:
對(duì)電介質(zhì)材料進(jìn)行蝕刻以將圖案從金屬轉(zhuǎn)移到電介質(zhì)材料。
12.如權(quán)利要求10或權(quán)利要求11所述的方法,其還包括:
從經(jīng)過圖案化的電介質(zhì)材料移除經(jīng)過圖案化的金屬。
13.一種用于制造極性彈性體的微結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:
用包含極性彈性體的電介質(zhì)材料涂覆基材;
用第一金屬涂覆電介質(zhì)材料;
用第二金屬涂覆第一金屬;
用光致抗蝕劑涂覆第二金屬;
使光致抗蝕劑通過光掩模暴露于紫外(UV)光,以在光致抗蝕劑上限定圖案;
對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影以在光致抗蝕劑上形成圖案;
對(duì)第二金屬進(jìn)行蝕刻以將圖案從光致抗蝕劑轉(zhuǎn)移到第二金屬;以及
對(duì)第一金屬進(jìn)行蝕刻以將圖案從第二金屬轉(zhuǎn)移到第一金屬。
14.如權(quán)利要求13所述的方法,所述方法還包括:
從第二金屬移除光致抗蝕劑。
15.如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的方法,其還包括:
在對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行顯影之后并在對(duì)第二金屬進(jìn)行蝕刻之前,對(duì)光致抗蝕劑進(jìn)行后烘。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于康寧股份有限公司,未經(jīng)康寧股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780078835.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 等離子顯示器中用于電介質(zhì)的印刷電路基板及其制造方法
- 半導(dǎo)體元件及其制造方法
- 包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
- 多層電介質(zhì)聚合物材料、電容器、材料用途及其形成方法
- 用于傳輸毫米波信號(hào)的低損耗電介質(zhì)波導(dǎo)和包括其的電纜
- 誘導(dǎo)透射濾光器
- 基于電介質(zhì)上的逆電潤濕的能量收集系統(tǒng)
- 半導(dǎo)體工藝的方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
- 一種基于電容器邊緣場(chǎng)效應(yīng)的柔性電容型接近傳感器及傳感方法
- 誘導(dǎo)透射濾光器





