[發(fā)明專利]新型化合物、半導(dǎo)體材料、以及使用了其的膜以及半導(dǎo)體的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780078579.5
• 申請日: 2017-12-20
• 公開（公告）號: CN110088072B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中杉茂正;柳田浩志;黑澤和則;關(guān)藤高志;濱祐介;松浦裕里子
• 申請（專利權(quán)）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: C07C39/04
• 分類號: C07C39/04;H10K85/20;H10K85/60
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

1.一種半導(dǎo)體的制造方法，其包含以下的工序：

在基板上施加一層下層膜形成組合物，

將該層進行固化而制造下層膜，其中將該層進行固化的條件為在150～650℃煅燒30～180秒，

在該下層膜的上方形成一層光致抗蝕組合物，

將該光致抗蝕組合物進行固化而形成光致抗蝕層，

將由該光致抗蝕層進行了覆膜的基板進行曝光，

將經(jīng)曝光的基板進行顯影而形成抗蝕圖案，

將該抗蝕圖案設(shè)為掩模進行蝕刻，

對基板進行加工，

其中，該下層膜形成組合物包含由下述式(8)、(9)、(10)或者(11)表示的化合物構(gòu)成的半導(dǎo)體材料與溶劑，

[化學(xué)式viii]

[化學(xué)式ix]

[化學(xué)式x]

[化學(xué)式xi]

A為-OH或者-NH₂，

R₁為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

R_1’為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

R₂為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

R_2’為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

R₃為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

R_3’為氫、-OH、-NH₂、-SH、或者與苯基環(huán)進行結(jié)合的直接鍵，

n₁為0、1或2，

n₂為0、1或2，

n₃為0、1或2，且

m為0、1、2或3。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體的制造方法，其中，上述式(8)、(9)、(10)或者(11)的化合物具有42～120個碳原子數(shù)。