[發(fā)明專利]使用激光束制備結(jié)構(gòu)化的晶核層的方法和相應的設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780078259.X | 申請日： | 2017-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN110087816B | 公開（公告）日： | 2021-12-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | B.沙因勒 | 申請（專利權(quán)）人： | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;B23K26/00;B82B3/00;B23K26/073;B23K26/08;B23K26/354;B23K26/0622;C01B32/158;B23K101/16;B23K101/34;B23K103/08;B23K103/10;B23K103/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 任麗榮 |
| 地址： | 德國黑*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 激光束 制備 結(jié)構(gòu) 晶核 方法 相應 設備 | ||
1.一種用于制備結(jié)構(gòu)化的晶核層的方法，所述晶核層用于在其上沉積出碳納米管(16)，其中，先前在襯底(1)上涂覆的金屬層(2)通過由激光器(6)產(chǎn)生的激光束(4)被施加能量，使得所述金屬層(2)變形為各個島狀晶核區(qū)域(3)，其特征在于，通過將所述激光束(4)展寬為具有線形橫截面的展寬激光束(5)，并且同時用所述展寬激光束(5)照射所述金屬層(2)的線形光照區(qū)域(15)，所述線形光照區(qū)域(15)沿著橫向于所述線形光照區(qū)域的延伸方向的方向在所述金屬層(2)上移動，來產(chǎn)生各個島狀晶核區(qū)域(3)。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述展寬激光束(5)的跨度(W)等于所述襯底(1)的寬度并且在20mm至1000mm的范圍內(nèi)。
3.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述展寬激光束(5)的跨度(W)等于所述襯底(1)的寬度并且在100mm至1000mm的范圍內(nèi)。
4.按照權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述展寬激光束(5)的跨度(W)在300至600mm的范圍內(nèi)。
5.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底(1)由硅或藍寶石構(gòu)成。
6.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底(1)由金屬構(gòu)成。
7.按照權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述襯底(1)由鋁或銅構(gòu)成。
8.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層(2)由鋁、鎳、銀、金、鋰、鈦、釩、鉻、鐵、鉑、或鉭構(gòu)成。
9.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬層的厚度在1至200nm的范圍內(nèi)。
10.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束(4)的橫向于展寬激光束(5)的跨度(W)延伸的長度等于所述線形光照區(qū)域(15)的寬度并且在0.5至5mm之間。
11.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，由激光器(6)產(chǎn)生的光的波長在200nm至1.5μm的范圍內(nèi)。
12.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器(6)脈沖地或連續(xù)地發(fā)射光，其中，脈沖能量在0.5至20mJ的范圍內(nèi)。
13.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，展寬激光束(5)在金屬層(2)上移動的速度在1至50cm/s的范圍內(nèi)。
14.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，島狀晶核區(qū)域(3)具有1nm至2μm的等效圓直徑。
15.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，島狀晶核區(qū)域(3)具有1nm至500nm的等效圓直徑。
16.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，島狀晶核區(qū)域(3)具有1nm至100nm的等效圓直徑。
17.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，相鄰的島狀晶核區(qū)域(3)的中點的間距在1nm至2μm的范圍內(nèi)。
18.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，各個島狀晶核區(qū)域(3)呈矩形陣列。
19.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，各個島狀晶核區(qū)域(3)呈方形陣列。
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