[發明專利]Al2O3濺射靶及其制造方法

在審

• 申請號: 201780077077.0
• 申請日: 2017-12-06
• 公開（公告）號: CN110073029A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 小井土由將
• 申請（專利權）人: 捷客斯金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/111
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 胡嵩麟;王海川

1.一種Al₂O₃濺射靶，其中，所述Al₂O₃濺射靶的純度為99.99重量％以上、相對密度為85％以上且95％以下、體積電阻率為10×10¹⁴Ω·cm以下、介質損耗角正切為15×10^-4以上。

2.如權利要求1所述的Al₂O₃濺射靶，其中，所述Al₂O₃濺射靶的平均晶粒尺寸為0.3μm～3.0μm。

3.如權利要求1或2所述的Al₂O₃濺射靶，其中，所述Al₂O₃濺射靶的表面粗糙度Ra為1.0μm～2.0μm。

4.如權利要求1～3中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其中，所述Al₂O₃濺射靶的抗折強度為200MPa以上。

5.如權利要求1～4中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其特征在于，在將靶設置于具有RF電源的濺射裝置中、并在輸入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分壓：0.5Pa、膜厚：的條件下進行成膜時的成膜速率為以上。

6.如權利要求1～5中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其特征在于，在將靶設置于具有RF電源的濺射裝置中、并在輸入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分壓：0.5Pa、膜厚：的條件下進行成膜時的預燒時間為200千瓦時以內。

7.如權利要求1～6中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其特征在于，在將靶設置于具有RF電源的濺射裝置中、并在輸入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分壓：0.5Pa、膜厚：的條件下在直徑為300mm的晶片上進行成膜時，存在于晶片上的大于0.12μm的粉粒數少于100個。

8.如權利要求1～7中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其特征在于，在將靶設置于具有RF電源的濺射裝置中、并在輸入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分壓：0.5Pa、膜厚：的條件下在直徑為300mm的晶片上進行成膜時，在晶片面內49個點處的膜厚變動(σ)為以下。

9.如權利要求1～8中任一項所述的Al₂O₃濺射靶，其特征在于，在將靶設置于具有RF電源的濺射裝置中、并在輸入功率：2.5W/cm²～3.0W/cm²、Ar分壓：0.5Pa、膜厚：的條件下在直徑為300mm的晶片上進行成膜時，對膜進行干法蝕刻的蝕刻速度為20nm/分鐘以下。

10.一種Al₂O₃濺射靶的制造方法，其特征在于，對純度為99.99重量％以上的Al₂O₃原料粉末進行熱壓，從而制作相對密度為60％以上且85％以下的成型體，并對該成型體進行常壓燒結。

11.如權利要求10所述的Al₂O₃濺射靶的制造方法，其特征在于，在滿足T≤t≤T+600℃(T為熱壓時的溫度)的溫度范圍t內進行所述常壓燒結。