[發(fā)明專利]保護(hù)涂層

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780077033.8
• 申請(qǐng)日: 2017-12-12
• 公開（公告）號(hào): CN110268810A
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沙林達(dá)·維克拉姆·辛格;吉安弗蘭可·阿拉斯塔;安德魯·西蒙·霍爾·布魯克斯;希奧布翰·瑪麗·伍拉德;加雷思·亨尼根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽姆布蘭特有限公司
• 主分類號(hào): H05K3/28
• 分類號(hào): H05K3/28;C23C14/00;H01L21/02;C08J7/04;C23C16/40;C23C16/02;C09D127/20;B05D1/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 彭雪瑞;臧建明

1.一種在基材上沉積保護(hù)涂層的方法，其中：

所述保護(hù)涂層包括(i)與所述基材接觸的防潮層，其包括第一子層，可選地一個(gè)或多個(gè)中間子層，和最終子層，(ii)無機(jī)的機(jī)械保護(hù)層，和(iii)介于所述防潮層和所述機(jī)械保護(hù)層之間的梯度層；并且

所述方法包括：

(a)通過前體混合物(A)的等離子體沉積在所述基材上沉積所述防潮層的所述第一子層，所述前體混合物(A)包括有機(jī)硅化合物、氟代烴或式(X)化合物；

其中：

Z₁表示C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基；

Z₂代表氫、C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基；

Z₃表示氫、C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基；

Z₄表示氫、C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基；

Z₅表示氫、C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基；和

Z₆代表氫、C₁-C₃烷基或C₂-C₃鏈烯基，

(b)如果存在，通過前體混合物(B)的等離子體沉積來沉積所述防潮層的所述一個(gè)或多個(gè)中間子層的每一個(gè)，所述前體混合物(B)包括有機(jī)硅化合物、氟代烴或式(X)化合物；

(c)通過前體混合物(C)的等離子體沉積來沉積所述防潮層的所述最終子層，所述前體混合物(C)包括有機(jī)硅化合物、氟代烴或式(X)化合物；

(d)通過前體混合物(D)的等離子體沉積在所述防潮層的所述最終子層上沉積所述梯度層，所述前體混合物(D)包括前體混合物(C)和(E)的所述組分；

(e)通過前體混合物(E)的等離子體沉積在所述梯度層上沉積所述機(jī)械保護(hù)層，所述前體混合物(E)包括有機(jī)硅化合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述等離子體沉積為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述等離子體沉積在0.001至10毫巴的壓力下發(fā)生。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中可存在于所述前體混合物(A)至(E)中的任一種中的所述有機(jī)硅化合物獨(dú)立地選自六甲基二硅氧烷(HMDSO)、四甲基二硅氧烷(TMDSO)、1,3-二乙烯基四甲基二硅氧烷(DVTMDSO)、六乙烯基二硅氧烷(HVDSO)烯丙基三甲基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷(ATMOS)、正硅酸乙酯(TEOS)、三甲基硅烷(TMS)、三異丙基硅烷(TiPS)、三乙烯基三甲基環(huán)三硅氧烷(V₃D₃)、四乙烯基四甲基環(huán)四硅氧烷(V₄D₄)、四甲基環(huán)四硅氧烷(TMCS)、八甲基環(huán)四硅氧烷(OMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDSN)、2,4,6-三甲基-2,4,6-三乙烯基環(huán)狀三硅氮烷、二甲氨基三甲基硅烷(DMATMS)、雙(二甲氨基)二甲基硅烷(BDMADMS)和三(二甲氨基)甲基硅烷(TDMAMS)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中可存在于所述前體混合物(A)至(E)中的任一種中的所述有機(jī)硅化合物獨(dú)立地選自六甲基二硅氧烷(HMDSO)和四甲基二硅氧烷(TMDSO)，并且優(yōu)選為六甲基二硅氧烷(HMDSO)。