[發明專利]鋯前體、鉿前體、鈦前體及使用其沉積含第4族的膜

有效

• 申請號: 201780076821.5
• 申請日: 2017-12-29
• 公開（公告）號: CN110073474B
• 公開（公告）日: 2023-09-01
• 發明（設計）人: 金大鉉;伽蒂諾諭子;盧源泰;尤利安·伽蒂諾;讓-馬克·吉拉爾
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;C23C16/18;H01L21/31
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 彭立兵;林柏楠

1.一種形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，該組合物包含具有式L₂-M-C₅R₄-[(ER₂)₂-NR]-的第4族過渡金屬前體，參考以下結構式：

其中M為以η⁵鍵合模式鍵合至Cp基團的Ti、Zr或Hf；每個E獨立地為C、Si、B或P；每個R獨立地為氫或C₁-C₄烴基；且每個L獨立地為-1陰離子配體；其前提為該Cp上的至少一個R為C₁至C₄。

2.如權利要求1所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，每個L獨立地選自由以下組成的組：NR’₂、OR’、Cp、脒基、β-二酮及酮亞胺，其中R’為H或C₁-C₄烴基。

3.如權利要求2所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，E為C。

4.如權利要求1至3中任一項所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，M為Zr。

5.如權利要求4所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，該第4族過渡金屬前體選自由以下組成的組：(Me₂N)₂-Zr-(Me)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、(Me₂N)₂-Zr-(Et)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、(Me₂N)₂-Zr-(iPr)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、(Me₂N)(Cp)-Zr-(Me)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、(Me₂N)(Cp)-Zr-(Et)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、(Me₂N)(Cp)-Zr-(iPr)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)、及其組合。

6.如權利要求5所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，該第4族過渡金屬前體為(Me₂N)₂-Zr-(Me)C₅H₃-(CH₂-CH₂-NMe-)。

7.如權利要求1至3中任一項所述的形成含第4族過渡金屬的膜的組合物，其中，M為Hf。