[發明專利]無空隙間隙填充的電化學沉積方法

有效

• 申請號: 201780076545.2
• 申請日: 2017-12-12
• 公開（公告）號: CN110073485B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 塞爾達·阿克蘇;李政古;鮑爾特·薩克里;羅伊·夏維夫
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;趙靜

1.?一種在具有至少一個次30納米特征結構的工件上電鍍的方法，所述方法包括：

（a）施加第一電解質化學品至所述工件，所述第一電解質化學品包括金屬陽離子溶質物質及電鍍抑制劑，所述金屬陽離子溶質物質具有在50?mM至250?mM的范圍內的濃度；以及

（b）施加電氣波形，其中所述電氣波形包括電流緩升的期間，緊接著穩態電流的開始維持期間，緊接著電流部分緩降的期間，其中所述部分緩降的期間為在50毫秒至5000毫秒的范圍內的時間段。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬陽離子為銅。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述電流緩升和所述電流部分緩降中的一個或兩者選自由線性連續性緩升或緩降、非線性連續性緩升或緩降、或脈沖式緩升或緩降所組成的組。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述電流緩升的期間位于50毫秒至200毫秒的范圍內。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述電流緩升的期間立即開始或在初始延遲后開始。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述電流緩升到達一電流電平，所述電流電平選自由1安培至15安培的范圍和7安培至15安培的范圍所組成的組。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述緩降是從緩升所達到的電流電平至位于2安培至8安培的范圍內的電流電平。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述電氣波形包括電流緩升的期間，緊接著電流部分緩降的期間。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述開始維持期間為在0至200毫秒的范圍內的時間段。

10.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括穩態電流的緩降維持期間，所述穩態電流的緩降維持期間緊接在所述電流部分緩降的期間之后，且所述穩態電流的緩降維持期間位于所述部分緩降完成的電流電平。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述穩態電流的緩降維持期間選自0秒至1.0秒的范圍。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述穩態電流的緩降維持期間維持在位于2安培至8安培的范圍內的電流電平。

13.如權利要求10所述的方法，所述方法進一步包括穩態電流的第一期間，所述穩態電流的第一期間在所述穩態電流的維持期間之后，用以填充所述工件上的一個或多個特征結構。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述穩態電流的第一期間位于10秒至240秒的范圍內。

15.如權利要求13所述的方法，其中所述穩態電流的第一期間維持在位于2安培至8安培的范圍內的電流電平。

16.如權利要求13所述的方法，所述方法進一步包括穩態電流的第二期間，所述穩態電流的第二期間在所述穩態電流的第一期間之后，用以填充所述工件上的一個或多個特征結構。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述穩態電流的第二期間位于0秒至240秒的范圍內。

18.如權利要求16所述的方法，其中所述穩態電流的第二期間維持在位于4安培至8安培的范圍內的電流電平。

19.如權利要求16所述的方法，其中所述穩態電流的第二期間的電流電平高于所述穩態電流的第一期間的電流電平。

20.如權利要求13所述的方法，所述方法進一步包括用于所述工件的覆蓋步驟。