[發(fā)明專利]物理氣相沉積腔室中的顆粒減量

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201780074910.6
• 申請(qǐng)日: 2017-11-30
• 公開（公告）號(hào): CN110062950B
• 公開（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾為民;清·X·源;曹勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;C23C14/06;C23C14/22
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于沉積非晶硅材料的處理配件屏蔽件，所述處理配件屏蔽件包括：

主體，所述主體具有表面，所述表面面向物理氣相沉積(PVD)處理腔室的處理空間，其中所述主體由氧化鋁(Al₂O₃)構(gòu)成；和

氮化硅層，所述氮化硅層在所述主體的所述表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的處理配件屏蔽件，進(jìn)一步包括非晶硅層，所述非晶硅層在所述氮化硅層上。

3.如權(quán)利要求2所述的處理配件屏蔽件，其中所述氮化硅層的第一厚度對(duì)所述非晶硅層的第二厚度的比例為1：3。

4.如權(quán)利要求2所述的處理配件屏蔽件，其中所述主體包括第三層，所述第三層為所述氮化硅層和所述非晶硅層的重復(fù)交替層，所述第三層具有預(yù)定的第三厚度。

5.一種用于沉積非晶硅材料的物理氣相沉積(PVD)處理腔室，所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室包括：

處理配件屏蔽件，所述處理配件屏蔽件包括：

主體，所述主體具有表面，所述表面面向所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的處理空間，其中所述主體由氧化鋁(Al₂O₃)構(gòu)成；

氮化硅層，所述氮化硅層具有第一厚度在所述主體的所述表面上；和

非晶硅層，所述非晶硅層具有第二厚度在所述氮化硅層上；

基板支撐基座，所述基板支撐基座設(shè)置在所述處理空間下方的所述處理腔室中；和

靶材，所述靶材設(shè)置在與所述基板支撐基座相對(duì)處。

6.如權(quán)利要求5所述的物理氣相沉積(PVD)處理腔室，其中所述氮化硅層的第一厚度對(duì)所述非晶硅層的第二厚度的比例為1：3。

7.如權(quán)利要求5所述的物理氣相沉積(PVD)處理腔室，其中所述主體包括第三層，所述第三層為所述氮化硅層和所述非晶硅層的重復(fù)交替層，所述第三層具有預(yù)定的第三厚度。

8.一種在物理氣相沉積(PVD)處理腔室中處理基板的方法，所述方法包括以下步驟：

(a)在處理配件屏蔽件的表面的頂上沉積氮化硅層，所述表面面向所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的處理空間，其中所述處理配件屏蔽件包括主體，所述主體由氧化鋁(Al₂O₃)構(gòu)成，且其中在沒有基板設(shè)置在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室中的情況下沉積所述氮化硅層；和

(b)隨后在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室中的預(yù)定數(shù)量的基板上沉積非晶硅層，其中非晶硅材料也在所述氮化硅層上形成非晶硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中沉積所述氮化硅層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟：

在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的處理空間內(nèi)，由第一處理氣體形成等離子體，其中所述第一處理氣體包含惰性氣體和氮?dú)?N₂)氣體，以在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的所述處理空間內(nèi)，從靶材的表面濺射硅。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中以下至少一者：

以50 sccm至200 sccm的流率提供所述惰性氣體；

以50 sccm至1000 sccm的流率提供所述氮?dú)?N₂)氣體；或

所述第一處理氣體具有為4：1的氮?dú)?N₂)氣體對(duì)惰性氣體的比例。

11.如權(quán)利要求8所述的方法，其中沉積所述非晶硅層的步驟進(jìn)一步包括以下步驟：

在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的處理空間內(nèi)，由第二處理氣體形成等離子體，其中所述第二處理氣體包含惰性氣體和氫氣(H₂)氣體，以在所述物理氣相沉積(PVD)處理腔室的所述處理空間內(nèi)，從靶材的表面濺射硅。