[發明專利]用于制造晶體管的方法

有效

• 申請號: 201780074904.0
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN110036490B
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 達格·貝哈默
• 申請（專利權）人: 聯合單片半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/20;H01L21/338;H01L29/40;H01L29/423
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.用于制造晶體管的方法，其中，實施下列步驟：

- 提供在承載材料上具有多個有源層的基底，在所述有源層上方構造有用于漏極接觸部和源極接觸部的接觸區域，其中，在所述源極接觸部與所述漏極接觸部之間的區域覆蓋有第一絕緣層，

- 在第一柵極區域中借助暫時形成的經結構化的第一光刻膠層形成經結構化的金屬層，

- 沉積第二絕緣層，

- 沉積中間層，

- 使第二光刻膠層結構化，以便暴露第二柵極區域，所述第二柵極區域的側向延伸小于所述第一柵極區域的側向延伸，

- 在所述第二柵極區域中借助第二光刻膠層去除所述中間層、所述第二絕緣層和所述金屬層，從而所述金屬層分割為第一場板和第二場板，其中，在所述第二柵極區域的兩側形成所述第一場板和所述第二場板，所述第一場板朝所述漏極接觸部的方向指向，而所述第二場板朝所述源極接觸部的方向指向，

- 去除所述第二光刻膠層，

- 通過沉積另外的絕緣層在所述第二柵極區域中形成朝基底表面向彼此延伸的側向的間距保持體，其中，在將所述中間層用于結束點識別的情況下對所述另外的絕緣層進行蝕刻，并且

- 在部分去除所述第一絕緣層之后形成柵電極，所述柵電極具有在所述間距保持體之間的柵極支腳和部分遮蓋所述金屬層和所述第一絕緣層的柵極頭部。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在去除所述第一絕緣層之前實行向彼此延伸的間距保持體的形成步驟。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第二柵極區域中去除所述第一絕緣層之后實行向彼此延伸的間距保持體的形成步驟。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述第二柵極區域中去除所述中間層和所述第二絕緣層時，將所述金屬層用作有選擇的蝕刻停止層。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，借助經結構化的第二光刻膠層或借助經結構化的中間層和第二絕緣層，在所述第二柵極區域中使所述金屬層結構化。

6.根據權利要求4所述的方法，其中，在所述第二柵極區域中相對所述第一絕緣層有選擇地蝕刻所述金屬層。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述中間層由氧化硅形成。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述另外的絕緣層由氮化硅形成。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述第一柵極區域和所述第二柵極區域布置成形成朝所述漏極接觸部的方向指向的具有300nm至500nm的規格的第一場板。

10.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，所述第一柵極區域和所述第二柵極區域布置成形成朝所述源極接觸部的方向指向的具有最小的規格的第二場板。

11.根據權利要求1至6中任一項所述的方法，其中，形成具有20nm至50nm的厚度的所述第一絕緣層。