[發(fā)明專利]R－T－B系燒結(jié)磁體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780074435.2
• 申請日: 2017-11-30
• 公開（公告）號: CN110024064B
• 公開（公告）日: 2020-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 野澤宣介;重本恭孝;西內(nèi)武司
• 申請（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;B22F3/00;B22F3/10;B22F3/24;C21D9/00;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;程采

1.一種R－T－B系燒結(jié)磁體，其特征在于，含有：

R：28mass％以上36mass％以下，其中，R為稀土元素中的至少一種，必須含有Nd和Pr中的至少一方，

B：0.73mass％以上0.96mass％以下，

Ga：0.1mass％以上1.0mass％以下，

Cu：0.1mass％以上1.0mass％以下，

T：60mass％以上，其中，T為選自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一種，必須含有Fe，F(xiàn)e的含量相對于T整體為80mass％以上；

T相對于B的摩爾比([T]/[B])超過14.0，

垂直于取向方向的截面上的磁體表面部的R量比磁體中央部的R量多，

垂直于取向方向的截面上的磁體表面部的Ga量比磁體中央部的Ga量多，

垂直于取向方向的截面上的磁體表面部的T相對于B的摩爾比([T]/[B])比磁體中央部的T相對于B的摩爾比([T]/[B])高。

2.如權(quán)利要求1所述的R－T－B系燒結(jié)磁體，其特征在于，

垂直于取向方向的截面上的磁體表面部的Cu量比磁體中央部的Cu量多。

3.如權(quán)利要求1或2所述的R－T－B系燒結(jié)磁體，其特征在于，

所述R－T－B系燒結(jié)磁體中的T相對于B的摩爾比([T]/[B])比超過14.0且在16.4以下。

4.一種R－T－B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備R1－T1－B系燒結(jié)體的工序；

準(zhǔn)備R2－Cu－Ga－Fe系合金的工序；

使所述R2－Cu－Ga－Fe系合金的至少一部分與所述R1－T1－B系燒結(jié)體的表面的至少一部分接觸，在真空或非活性氣體氣氛中，在700℃以上1100℃以下的溫度實施第一熱處理的工序；和

對于實施所述第一熱處理后的R1－T1－B系燒結(jié)體，在真空或非活性氣體氣氛中，在450℃以上600℃以下的溫度實施第二熱處理的工序，

在所述R1－T1－B系燒結(jié)體中，

R1為稀土元素中的至少一種，必須含有Nd和Pr中的至少一方，R1的含量為R1－T1－B系燒結(jié)體整體的27mass％以上35mass％以下，T1為選自Fe、Co、Al、Mn和Si中的至少一種，T1必須含有Fe，F(xiàn)e相對于T1整體的含量為80mass％以上，

[T1]/[B]的摩爾比超過14.0且在15.0以下，

在所述R2－Cu－Ga－Fe系合金中，

R2為稀土元素中的至少一種，必須含有Nd和Pr中的至少一方，R2的含量為R2－Cu－Ga－Fe系合金整體的35mass％以上85mass％以下，

Cu的含量為R2－Cu－Ga－Fe系合金整體的2.5mass％以上40mass％以下，

Ga的含量為R2－Cu－Ga－Fe系合金整體的2.5mass％以上40mass％以下，

Fe的含量為R2－Cu－Ga－Fe系合金整體的10mass％以上45mass％以下。

5.如權(quán)利要求4所述的R－T－B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述[T1]/[B]的摩爾比為14.3以上15.0以下。

6.如權(quán)利要求4或5所述的R－T－B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述R2－Cu－Ga－Fe系合金中的Fe的含量為R2－Cu－Ga－Fe系合金整體的15mass％以上40mass％以下。

7.如權(quán)利要求4或5所述的R－T－B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述R2－Cu－Ga－Fe系合金中的R2的50mass％以上為Pr。

8.如權(quán)利要求4或5所述的R－T－B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述R2－Cu－Ga－Fe系合金中的R2的70mass％以上為Pr。