[發(fā)明專利]含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780074428.2 | 申請日: | 2017-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN110022991A | 公開(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 畑中辰也;柴野佑紀(jì);吉本卓司 | 申請(專利權(quán))人: | 日產(chǎn)化學(xué)株式會社 |
| 主分類號: | B05D1/28 | 分類號: | B05D1/28;B05D1/26;B05D7/24;H01G11/28;H01G11/36;H01G11/68;H01G11/70;H01M4/04;H01M4/66 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 劉強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電性碳材料 薄膜 凹版涂布機 碳納米管 模涂機 涂布液 制造 | ||
1.含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其特征在于,包含如下工序:使用凹版涂布機或模涂機涂布含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述薄膜的單位面積質(zhì)量為1000mg/m2以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述薄膜的單位面積質(zhì)量為250mg/m2以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述導(dǎo)電性碳材料包含碳納米管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液的固體成分濃度為40.0質(zhì)量%以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液的固體成分濃度為20.0質(zhì)量%以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液的固體成分濃度為10.0質(zhì)量%以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液的固體成分濃度為5.0質(zhì)量%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液的固體成分濃度為2.0質(zhì)量%以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,使用凹版涂布機進行涂布。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的涂布液包含分散劑,該分散劑為三芳基胺系高支化聚合物或者在側(cè)鏈含有噁唑啉基的乙烯基系聚合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~11中任一項所述的含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜的制造方法,其中,所述含有導(dǎo)電性碳材料的薄膜為儲能器件電極用底涂箔。
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