[發明專利]半導體裝置的制造方法以及封裝裝置

有效

• 申請號: 201780074330.7
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN110024095B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 中村智宣;前田徹
• 申請（專利權）人: 株式會社新川
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種半導體裝置的制造方法，其為將一個以上的半導體芯片層疊于基板上的多個部位并進行封裝的半導體裝置的制造方法，且所述半導體裝置的制造方法的特征在于包括：

臨時壓接步驟，一面將一個以上的半導體芯片依次分別臨時壓接于所述基板上的兩個以上的部位，一面進行層疊，從而形成臨時壓接狀態的芯片層疊體；以及

正式壓接步驟，對所形成的全部所述臨時壓接狀態的芯片層疊體的上表面依序加熱加壓，由此一并對構成各芯片層疊體的一個以上的半導體芯片進行正式壓接，

將所述臨時壓接步驟及所述正式壓接步驟重復進行兩次以上，直至所述芯片層疊體達到所需的個數，進而，包括

確定步驟，即，在所述臨時壓接步驟之前，確定自正式壓接中的芯片層疊體起至通過用于所述正式壓接的加熱而升溫的所述基板的溫度成為規定的容許溫度以下的部位為止的距離即間隔距離，

在所述臨時壓接步驟中，使所述臨時壓接狀態的芯片層疊體彼此隔開所述間隔距離以上而形成，且

在所述正式壓接步驟中，對隔開所述間隔距離以上而形成的所述臨時壓接狀態的芯片層疊體進行正式壓接，

在所述半導體芯片的層疊方向單側端面設置有用于將所述半導體芯片與鄰接封裝于所述層疊方向單側的基板或半導體芯片固著的熱硬化性樹脂，且

所述容許溫度較所述熱硬化性樹脂不可逆地開始硬化的硬化開始溫度低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

所述確定步驟基于所述半導體芯片的封裝條件來確定所述間隔距離。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

包含進行所述正式壓接時的所述芯片層疊體的最下層的溫度即下層溫度，且

所述確定步驟中，以所述下層溫度越高則所述間隔距離越長的方式確定所述間隔距離。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于進而包括：

分布圖形成步驟，基于所確定的所述間隔距離來形成表示多個芯片層疊體的形成位置的分布圖，

在所述臨時壓接步驟中，按照所述分布圖來形成所述多個所述臨時壓接狀態的芯片層疊體。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，進而

配置有所述芯片層疊體的多個配置區域以規定的間距P呈格子狀排列設定于所述基板，

所述確定步驟確定所述間隔距離之后，進而確定當將所述間隔距離設為Dd時滿足{(N-l)×P}≦DdN×P的整數N，且

在所述臨時壓接步驟中，每隔N個所述配置區域來形成所述臨時壓接狀態的芯片層疊體。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述基板為半導體晶片。

7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

臨時壓接步驟，一面將一個以上的半導體芯片依次分別臨時壓接于基板上的兩個以上的部位，一面進行層疊，從而形成臨時壓接狀態的芯片層疊體；以及

正式壓接步驟，將對兩個以上的臨時壓接狀態的芯片層疊體的上表面同時加熱加壓且同時進行正式壓接的處理重復進行兩次以上，并使在所述臨時壓接步驟中形成的所有臨時壓接狀態的芯片層疊體變化為正式壓接狀態，

將所述臨時壓接步驟及所述正式壓接步驟重復進行兩次以上，直至所述芯片層疊體達到所需的個數，進而，包括

確定步驟，即，在所述臨時壓接步驟之前，確定自正式壓接中的芯片層疊體起至通過用于所述正式壓接的加熱而升溫的所述基板的溫度成為規定的容許溫度以下的部位為止的距離即間隔距離，且

在所述臨時壓接步驟中，使未同時經正式壓接的臨時壓接狀態的芯片層疊體彼此隔開所述間隔距離以上而形成，

在所述半導體芯片的層疊方向單側端面設置有用于將所述半導體芯片與鄰接封裝于所述層疊方向單側的基板或半導體芯片固著的熱硬化性樹脂，且

所述容許溫度較所述熱硬化性樹脂不可逆地開始硬化的硬化開始溫度低。