[發(fā)明專利]氮化物類電子器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780073634.1
• 申請日: 2017-11-03
• 公開（公告）號: CN110036489B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李相玟;丘璜燮;金鉉濟;鄭熙錫
• 申請（專利權(quán)）人: 瓦威士有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L21/225;H01L21/768
• 代理公司: 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;田飛飛

1.一種氮化物類電子器件，所述氮化物類電子器件包括基板、金屬的電極以及多個保護層，其中，

在所述多個保護層中，以只使所述電極的上側(cè)的中央局部露出的方式覆蓋所述電極的上面周邊部的至少兩個保護層中，以使下側(cè)的保護層的覆蓋所述電極的上面周邊部的一側(cè)的端部不露出的方式上側(cè)的保護層覆蓋所述下側(cè)的保護層的覆蓋所述電極的上面周邊部的一側(cè)的端部，

在以彼此接觸的方式層積所述保護層的芯片級側(cè)面部中，

所述保護層的端面部與阻隔層直接接觸，并且位于上側(cè)的保護層覆蓋位于下側(cè)的保護層的端部，使得所述位于下側(cè)的保護層的端部不露出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物類電子器件，其中，

在芯片級側(cè)面部之間分別配置一個或者兩個以上的作為所述電極的源電極、柵電極、漏電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化物類電子器件，其中，

所述保護層中最上層的保護層是疏水性樹脂材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化物類電子器件，其中，

所述疏水性樹脂材料是BCB。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物類電子器件，其中，

所述電極至少是漏電極板，并且包括場板。

6.一種氮化物類電子器件的制造方法，在基板的上側(cè)依次形成通道層、阻隔層，并且交替形成保護層和電極，其中，

所述保護層中包含以只使所述電極的上側(cè)的中央局部露出的方式形成于所述電極的上側(cè)周邊部的至少兩個保護層，

以所述兩個保護層中的下側(cè)的保護層的端部位于所述電極的上側(cè)的方式進行圖案化，

以所述兩個保護層中的上側(cè)的保護層覆蓋所述下側(cè)的保護層的所述電極的上側(cè)的一側(cè)的端部來使所述下側(cè)的保護層的端部不露出的方式進行圖案化，

所述保護層在芯片級的側(cè)面部分別直接接觸而層積，

所述保護層的端面部與所述阻隔層直接接觸，以位于上側(cè)的保護層覆蓋位于下側(cè)的保護層的端部的方式進行圖案化。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化物類電子器件的制造方法，其中，

所述保護層中位于最上層的保護層是通過涂布BCB并進行圖案化來形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氮化物類電子器件的制造方法，其中，

所述電極至少是漏電極板，并且選擇性地還包括場板。