[發明專利]用于射頻應用的主輔場效應晶體管配置

在審

• 申請號: 201780072983.1
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN110199479A
• 公開（公告）日: 2019-09-03
• 發明（設計）人: 王海玲;D.C.巴特爾;H.傅;J.F.梅森;D.S.懷特菲爾德;P.T.迪卡洛
• 申請（專利權）人: 天工方案公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/693;H04B1/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 于小寧

1.一種用于執行切換功能的電路組件，所述電路組件包括：

包含與輔路徑并聯的主路徑的分支；

連接到所述主路徑的第一柵極偏置網絡；以及

連接到所述輔路徑的第二柵極偏置網絡，所述第二柵極偏置網絡被配置為改進切換功能的線性度。

2.根據權利要求1所述的電路組件，還包括耦接到主路徑的體極偏置網絡。

3.根據權利要求2所述的電路組件，其中所述體極偏置網絡還耦接到輔路徑。

4.根據權利要求1所述的電路組件，其中所述主路徑包括多個場效應晶體管。

5.根據權利要求4所述的電路組件，其中所述輔路徑包括多個場效應晶體管。

6.根據權利要求1所述的電路組件，其中所述分支以分路配置耦接在串聯臂和參考電位節點之間。

7.根據權利要求6所述的電路組件，其中所述第二柵極偏置網絡被配置為減小切換功能的電容非線性度。

8.根據權利要求1所述的電路組件，其中所述第一柵極偏置網絡被配置為將主路徑偏置在強反轉區域中，并且所述第二柵極偏置網絡被配置為將輔路徑偏置在弱反轉區域中。

9.根據權利要求1所述的電路組件，還包括偏置反饋模塊，所述偏置反饋模塊被配置為至少部分基于到所述分支的輸入信號的功率或頻率來調節所述第二柵極偏置網絡的偏置。

10.根據權利要求1所述的電路組件，其中所述第二柵極偏置網絡被配置為偏置所述輔路徑，以生成與由所述主路徑生成的三階諧波或三階互調產物相位相反的三階諧波或三階互調產物。

11.一種射頻(RF)切換配置，包括：

輸入節點，被配置為接收輸入信號；

輸出節點，被配置為提供與輸入信號相關的輸出信號；

主輔分支，耦接在輸入節點和輸出節點之間，所述主輔分支包含具有主場效應晶體管(FET)的主路徑和具有輔FET的輔路徑，所述主路徑與所述輔路徑并聯耦接；

主柵極偏置網絡，被配置為向主FET提供主柵極偏置電壓；以及

輔柵極偏置網絡，被配置為向輔FET提供輔偏置電壓，使得所述輔路徑生成與由所述主路徑生成的失真相位相反的失真，以減小通過所述主輔分支的失真。

12.根據權利要求11所述的RF切換配置，其中所述主FET被配置為響應于所述主偏置電壓而在強反轉區域中操作。

13.根據權利要求12所述的RF切換配置，其中所述輔FET被配置為響應于所述輔偏置電壓而在弱反轉區域中操作。

14.根據權利要求11所述的RF切換配置，其中所述主柵極偏置電壓大于所述輔柵極偏置電壓。

15.根據權利要求11所述的RF切換配置，其中所述主路徑還包含第二主FET。

16.根據權利要求15所述的RF切換配置，其中所述主柵極偏置網絡還被配置為向所述第二主FET提供所述主柵極偏置電壓。

17.根據權利要求11所述的RF切換配置，其中所述輔路徑還包含第二輔FET。

18.根據權利要求17所述的RF切換配置，其中所述輔柵極偏置網絡還被配置為向所述第二輔FET提供所述輔柵極偏置電壓。

19.根據權利要求17所述的RF切換配置，還包括第二輔柵極偏置網絡，所述第二輔柵極偏置網絡被配置為向所述第二輔FET提供第二輔柵極偏置電壓。