[發明專利]光纖線路和光纖線路制造方法有效
| 申請號: | 201780072653.2 | 申請日: | 2017-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN109983379B | 公開(公告)日: | 2021-04-27 |
| 發明(設計)人: | 鈴木雅人;田村欣章;山本義典;長谷川健美;高崎卓;久原早織 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/02 | 分類號: | G02B6/02;G02B6/036;G02B6/255;G02B6/44 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;張蕓 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光纖 線路 制造 方法 | ||
1.一種光纖線路,包括:
第一光纖;以及
第二光纖,其端部通過熔接連接至所述第一光纖的端部,其中,
所述第一光纖主要由石英玻璃構成并具有第一芯部和包圍所述第一芯部的第一包層,并且所述第二光纖主要由石英玻璃構成并具有第二芯部和包圍所述第二芯部的第二包層,
所述光纖線路包括所述第一光纖中限定的第一穩定區段、所述第二光纖中限定的第二穩定區段、以及位于所述第一穩定區段與所述第二穩定區段之間的過渡區段,所述過渡區段具有沿所述光纖線路的縱向過渡的模場直徑MFD,
在所述第一穩定區段中,所述第一光纖具有在1550nm波長處為90μm2以下的有效面積Aeff以及沿所述縱向具有小于1.0μm的波動范圍的模場直徑MFD,
在所述第一包層中,所述第一包層的與所述第一芯部相鄰的內側區域含有4000ppm至15000ppm的氟,
在所述第二穩定區段中,所述第二光纖具有在1550nm波長處為100μm2至200μm2的有效面積Aeff以及沿所述縱向具有小于1.0μm的波動范圍的模場直徑MFD,
在所述過渡區段中,基模的以分貝表示的連接損耗等于或小于在1550nm波長處的以分貝表示的理想對接損耗的55%,并且
所述第二光纖具有環芯型的折射率分布,使得所述第二光纖的模場直徑MFD與所述第二光纖具有階梯型折射率分布的情況相比變小。
2.根據權利要求1所述的光纖線路,其中,
所述第二包層含有氟,并且
在所述第二光纖中,所述第二芯部相對于所述第二包層的相對折射率差等于或大于0.2%。
3.根據權利要求2所述的光纖線路,其中,
所述第一包層的所述內側區域中的氟濃度高于所述第二包層的與所述第二芯部相鄰的內側區域中的氟濃度。
4.根據權利要求3所述的光纖線路,其中,
所述第一包層的所述內側區域中的氟濃度高于所述第二包層的所述內側區域中的氟濃度的1.05倍。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖線路,其中,
在處于所述過渡區段的限定在所述第一光纖中的部分內并具有沿所述縱向的50μm長度的任何區段中,在所述任何區段的與所述第二光纖相鄰的端部處的模場直徑MFD等于或小于在所述任何區段的與所述第一光纖相鄰的端部處的模場直徑MFD的1.2倍。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖線路,其中,
在所述過渡區段中,所述第一芯部和所述第二芯部中的每一個中的氟濃度從芯部中心沿徑向連續地增加。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖線路,其中,
所述過渡區段的沿所述縱向的長度等于或小于1cm。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖線路,其中,
所述第一光纖具有覆蓋所述第一包層的聚酰亞胺樹脂層。
9.根據權利要求1至4中任一項所述的光纖線路,其中,
所述光纖線路在所述光纖線路的整個長度上具有200kpsi以上的強度。
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