[發明專利]圖案化基底的制備方法

有效

• 申請號: 201780072438.2
• 申請日: 2017-12-13
• 公開（公告）號: CN110024081B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 李美宿;具世真;樸魯振;金廷根;李濟權;崔銀英;柳亨周;尹圣琇
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H10K71/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙丹;高世豪

1.一種用于制備圖案化基底的方法，包括：在其中在其表面上形成有具有底部和側壁的溝槽并且在所述底部和所述側壁上形成有相同的有機層的基底中，在所述溝槽中形成包含嵌段共聚物的膜并誘導自組裝結構的步驟，

其中所述嵌段共聚物是包含具有由下式1表示的第一單體作為單體單元的聚合物鏈段A、和具有與所述第一單體不同的由下式3表示的第二單體作為單體單元的聚合物鏈段B的嵌段共聚物，

其中所述有機層由包含所述第一單體和所述第二單體的無規共聚物形成，

所述有機層使所述嵌段共聚物的所述自組裝結構形成垂直取向的結構，

[式1]

在式1中，R為氫或具有1至4個碳原子的烷基，X為單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、羰基、亞烷基、亞烯基、亞炔基、-C(＝O)-X₁-或X₁-C(＝O)-，其中X₁為氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基或亞炔基，以及Y為包含連接有具有8個或更多個成鏈原子的側鏈的環結構的一價取代基，

[式3]

在式3中，X₂為單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基、亞炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁為單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基或亞炔基，以及W為包含至少一個鹵素原子的芳基。

2.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述有機層的厚度為5nm或更小。

3.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述自組裝結構是層狀結構。

4.根據權利要求3所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述層狀結構的厚度H在0.1×L至10×L的范圍內，其中L為所述層狀結構的間距。

5.根據權利要求3所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述溝槽的所述底部的寬度F在2×L至15×L的范圍內，其中L為所述層狀結構的間距。

6.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述溝槽中的包含所述嵌段共聚物的膜的表面上的形成有線圖案的面積相對于包含所述嵌段共聚物的所述膜的表面積為40％至90％。

7.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述聚合物鏈段A在XRD分析中在0.5nm^-1至10nm^-1的散射矢量q范圍內顯示出半值寬度在0.2nm^-1至1.5nm^-1的范圍內的峰。

8.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述聚合物鏈段A的體積分數在0.2至0.6的范圍內，所述聚合物鏈段B的體積分數在0.4至0.8的范圍內，并且所述聚合物鏈段A與所述聚合物鏈段B的體積分數之和為1。

9.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述聚合物鏈段A與所述聚合物鏈段B之間的表面能之差的絕對值為10mN/m或更小。

10.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述聚合物鏈段A與所述聚合物鏈段B之間的密度之差的絕對值為0.3g/cm³或更大。

11.根據權利要求1所述的用于制備圖案化基底的方法，其中所述嵌段共聚物的所述聚合物鏈段A包含具有9個或更多個成鏈原子的側鏈。