[發(fā)明專利]用于碳注入物的三氟化磷共伴氣體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780072343.0
• 申請日: 2017-11-16
• 公開（公告）號: CN110023533B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 尼爾·科爾文;哲-簡·謝
• 申請（專利權）人: 艾克塞利斯科技公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;H01J37/317
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 劉新宇;壽寧

1.一種將碳注入襯底的方法，所述方法包括：

提供離子源腔室，所述離子源腔室包括以下組件：陰極、陰極護罩、推斥極、內(nèi)襯、弧隙、源室壁、孔板、引出電極和電弧腔室主體，其中，所述組件中的至少一個由鑭鎢形成或涂有鑭鎢，其中，所述鑭鎢包含1 wt.%至3 wt.%的鑭量；

在所述離子源腔室中將一氧化碳氣源和包含三氟化磷的共伴氣體離子化，以產(chǎn)生碳離子和氧化磷，使得一氧化碳與所述三氟化磷和所述鑭鎢根據(jù)以下反應式反應：

19CO+7PF₃+4LaW→17C+O+21F+2CO+2P+PO+2La₂O₃+3W+WO₃+P₄O₆，

使得在由鑭鎢形成或涂有鑭鎢的所述組件上產(chǎn)生LaF₃或La₂O₃保護膜；以及

將所述碳離子注入所述襯底中。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，通過基于原子質(zhì)量單位束譜的分析檢測氧化磷的形成來優(yōu)化所述三氟化磷與所述一氧化碳的比例。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，包含所述離子源腔室的離子注入系統(tǒng)的、位于所述離子源腔室下游的組件是利用鑭鎢構造的。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述內(nèi)襯在700-800℃的溫度下操作，所述陰極在2500℃的溫度下操作，所述陰極護罩在2000℃的溫度下操作。