[發明專利]聚合物組合物

有效

• 申請號: 201780071982.5
• 申請日: 2017-11-29
• 公開（公告）號: CN109983044B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 具世真;李美宿;柳亨周;尹圣琇;樸魯振;金廷根;李濟權;崔銀英
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: C08L53/00
• 分類號: C08L53/00;C08F293/00;C09D153/00;C08F220/18;C08F220/38;C08F220/22;C08F228/02;H01L21/027;H01L21/311;G03F1/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 趙丹;高世豪

1.一種聚合物組合物，包含：第一嵌段共聚物，所述第一嵌段共聚物具有聚合物鏈段A和聚合物鏈段B；以及第二嵌段共聚物，所述第二嵌段共聚物具有低于所述第一嵌段共聚物的數均分子量的數均分子量并且具有聚合物鏈段C和聚合物鏈段D，

其中所述聚合物鏈段A和所述聚合物鏈段C為由下式2表示的聚合物鏈段，

[式2]

在式2中，R為氫或具有1至4個碳原子的烷基，X為-C(＝O)-O-，P為具有6至12個碳原子的亞芳基，Q為氧原子，以及Z為具有8個或更多個成鏈原子的鏈；以及

所述聚合物鏈段B和所述聚合物鏈段D為由下式4表示的聚合物鏈段，

[式4]

在式4中，X₂為單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基、亞炔基、-C(＝O)-X₁-或-X₁-C(＝O)-，其中X₁為單鍵、氧原子、硫原子、-S(＝O)₂-、亞烷基、亞烯基或亞炔基，

R₁至R₅各自獨立地為氫、烷基、鹵代烷基或鹵素原子，并且R₁至R₅中包含的鹵素原子的數量為1個或更多。

2.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述第一嵌段共聚物的數均分子量M1與所述第二嵌段共聚物的數均分子量M2的比率M1/M2在1.05至10的范圍內。

3.根據權利要求2所述的聚合物組合物，其中所述第一嵌段共聚物的數均分子量M1在30Kg/mol至150Kg/mol的范圍內。

4.根據權利要求2所述的聚合物組合物，其中所述第二嵌段共聚物的數均分子量M2在10Kg/mol至80Kg/mol的范圍內。

5.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述第一嵌段共聚物的數均分子量M1與所述第二嵌段共聚物的數均分子量M2之間的差值M1-M2在100kg/mol以內。

6.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中在所述聚合物組合物中所述第二嵌段共聚物具有最小的數均分子量，以及基于所述聚合物組合物中的所有嵌段共聚物的總重量，所述第二嵌段共聚物的重量比在25％至90％的范圍內。

7.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中在所述聚合物組合物中所述第二嵌段共聚物具有最小的數均分子量，以及基于所述聚合物組合物中的所有嵌段共聚物的總摩爾數，所述第二嵌段共聚物的摩爾比在40％至90％的范圍內。

8.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述聚合物鏈段A和所述聚合物鏈段C各自具有側鏈并且在X射線衍射分析中在0.5nm^-1至10nm^-1的散射矢量范圍內表現出半高寬在0.2nm^-1至1.5nm^-1范圍內的峰。

9.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述聚合物鏈段A與所述聚合物鏈段B的表面能之差的絕對值和所述聚合物鏈段C與所述聚合物鏈段D的表面能之差的絕對值各自在2.5mN/m至7mN/m的范圍內。

10.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述聚合物鏈段A和所述聚合物鏈段C的體積分數之和在0.3至0.6的范圍內，以及所述聚合物鏈段A、所述聚合物鏈段B、所述聚合物鏈段C和所述聚合物鏈段D的體積分數之和為1。

11.根據權利要求1所述的聚合物組合物，其中所述聚合物鏈段A和所述聚合物鏈段C各自包含具有8個或更多個成鏈原子的側鏈。

12.根據權利要求11所述的聚合物組合物，其中所述聚合物鏈段A和所述聚合物鏈段C各自包含芳族結構，并且所述側鏈取代在所述芳族結構上。