[發明專利]金屬膜的沉積

在審

• 申請號: 201780071909.8
• 申請日: 2017-11-20
• 公開（公告）號: CN110024079A
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 阿夫耶里諾斯·V·杰拉托斯;倉富敬;海克·林;伊誠·陳;張鎂
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/285
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種處理方法，包括以下步驟：

在處理腔室內的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)處理期間，相對于第二表面，選擇性地沉積金屬膜于基板的第一表面上，所述第二表面是與所述基板的所述第一表面不同的材料。

2.如權利要求1所述的處理方法，其中所述第一表面包括金屬性元素或合金，所述金屬性元素或合金的任一者被可選地摻雜，并且所述第二表面包括金屬氧化物、金屬氮化物、或金屬氮氧化物，所述金屬氧化物、所述金屬氮化物、或所述金屬氮氧化物的每一者被可選地摻雜碳。

3.如權利要求2所述的處理方法，其中所述第一表面包括金屬性硅(Si)、金屬性鍺(Ge)、或SiGe合金，金屬性硅(Si)、金屬性鍺(Ge)、或SiGe合金的每一者被可選地摻雜磷(P)、砷(As)、和/或硼(B)，并且所述第二表面包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)，氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)的每一者被可選地摻雜碳。

4.如權利要求1所述的處理方法，其中以至少約1.3：1的選擇性相對于所述第二表面在所述第一表面上選擇性地沉積所述金屬膜。

5.如權利要求1所述的處理方法，其中所述金屬膜包括鈦(Ti)、鋯(Zr)、或鉿(Hf)。

6.如權利要求1所述的處理方法，其中所述PECVD處理包括在范圍為約1毫瓦/cm²至小于約700毫瓦/cm²的等離子體功率的直接等離子體和≤500℃的基板溫度。

7.如權利要求1所述的處理方法，其中提供等離子體功率于每約0.00001秒至約100秒持續約0.0000001秒至約90秒的時間。

8.如權利要求1所述的處理方法，其中所述PECVD處理包括范圍為約10kHz至約50MHz的頻率的直接等離子體。

9.一種處理方法，包括以下步驟：

在處理腔室內定位基板表面，所述基板表面上具有至少一個特征結構，所述至少一個特征結構產生具有底部、頂部、和多個側壁的間隙，所述底部包括金屬性元素或合金，所述金屬性元素或合金的任一者被可選地摻雜，并且所述側壁包括金屬氧化物、金屬氮化物、或金屬氮氧化物，所述金屬氧化物、所述金屬氮化物、或所述金屬氮氧化物的每一者可選地摻雜碳；和

在等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)處理期間，于范圍為約300℃至小于500℃的基板溫度和范圍為約1毫瓦/cm²至小于約700毫瓦/cm²的等離子體功率，將所述基板表面暴露于金屬鹵化物前驅物氣體和含氫還原性共反應前驅物，以相對于所述特征結構的所述側壁，選擇性地形成金屬膜于所述底部上。

10.如權利要求9所述的處理方法，其中所述金屬鹵化物前驅物氣體包括氯化鈦、氯化鋯、或氯化鉿，并且所述含氫還原性共反應前驅物包括H₂。

11.如權利要求9所述的處理方法，其中所述底部包括金屬性硅(Si)、金屬性鍺(Ge)、或SiGe合金，金屬性硅(Si)、金屬性鍺(Ge)、或SiGe合金的每一者可選地摻雜磷(P)、砷(As)、和/或硼(B)，并且所述側壁包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)，氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)的每一者可選地摻雜碳。