[發明專利]攝像元件以及焦點調節裝置在審
| 申請號: | 201780071796.1 | 申請日: | 2017-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN110036481A | 公開(公告)日: | 2019-07-19 |
| 發明(設計)人: | 加藤周太郎 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369;H04N9/07 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 陳偉;閆劍平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電轉換部 像素 波長域 入射 光電轉換 攝像元件 焦點調節裝置 反射部 遮光部 透射 遮光 反射 | ||
1.一種攝像元件,其具備第一像素和第二像素,
所述第一像素具有對入射來的第一波長域的光進行光電轉換的第一光電轉換部、和使透射了所述第一光電轉換部的光的一部分向所述第一光電轉換部反射的反射部,
所述第二像素具有對入射來的比所述第一波長域短的第二波長域的光進行光電轉換的第二光電轉換部、和將入射至所述第二光電轉換部的光的一部分遮光的遮光部。
2.根據權利要求1所述的攝像元件,其中,
所述第一像素具有供所述第一波長域的光透射的第一濾光片,所述第一光電轉換部對透射了所述第一濾光片的光進行光電轉換,所述反射部對透射了所述第一濾光片和所述第一光電轉換部的光的一部分進行反射,
所述第二像素具有供波長比所述第一波長域短的第二波長域的光透射的第二濾光片,所述遮光部將入射至所述第二光電轉換部的光的一部分遮光。
3.一種攝像元件,其具備第一像素和第二像素,
所述第一像素具有供第一波長域的光透射的第一濾光片、對透射了所述第一濾光片的光進行光電轉換的第一光電轉換部、和使透射了所述第一光電轉換部的光的一部分向所述第一光電轉換部反射的反射部,
所述第二像素具有供波長比所述第一波長域短的第二波長域的光透射的第二濾光片、對透射了所述第二濾光片的光進行光電轉換的第二光電轉換部、和將入射至所述第二光電轉換部的光的一部分遮光的遮光部。
4.一種攝像元件,其具備第一像素和第二像素,
所述第一像素具有供入射來的光中的第一波長域的光透射的第一濾光片,且對透射了所述第一濾光片的光進行光電轉換的第一光電轉換部配置在所述第一濾光片與使透射了所述第一光電轉換部的光向所述第一光電轉換部反射的反射部之間,
所述第二像素在供入射來的光中的比所述第一波長域短的第二波長域的光透射的第二濾光片、與對透射了所述第二濾光片的光進行光電轉換的第二光電轉換部之間具有將入射至所述第二光電轉換部的光的一部分遮光的遮光部。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的攝像元件,其中,
所述第一光電轉換部對由所述反射部反射的光進行光電轉換來生成電荷,
所述第二光電轉換部對沒有被所述遮光部遮擋的光進行光電轉換來生成電荷。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的攝像元件,其中,
具有多個所述第一像素,
所述攝像元件具有所述反射部設在與相鄰的像素相距第一距離的位置處的第一像素、和所述反射部與相鄰的像素相距與第一距離不同的第二距離的位置處的第一像素。
7.根據權利要求6所述的攝像元件,其中,
具有所述反射部在規定的方向上設在與相鄰的像素相距所述第一距離的位置處的第一像素、和所述反射部在所述規定的方向上設在與相鄰的像素相距所述第二距離的位置處的第一像素。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的攝像元件,其中,
所述反射部設于將基于由所述第一光電轉換部生成的電荷的信號輸出的輸出部、與將基于由所述第二光電轉換部生成的電荷的信號輸出的輸出部之間。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的攝像元件,其中,
所述第一像素具有第一微型透鏡,
所述第二像素具有焦點距離與第一微型透鏡不同的第二微型透鏡。
10.根據權利要求9所述的攝像元件,其中,
所述第一微型透鏡的焦點距離比所述第二微型透鏡的焦點距離長。
11.根據權利要求1~8中任一項所述的攝像元件,其中,
所述第一像素具有第一微型透鏡,
所述第二像素具有光學特性與第一微型透鏡不同的第二微型透鏡。
12.根據權利要求11所述的攝像元件,其中,
所述第一微型透鏡與所述第二微型透鏡的折射率不同。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社尼康,未經株式會社尼康許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201780071796.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





