[發明專利]化合物半導體及化合物半導體單晶的制造方法

有效

• 申請號: 201780071427.2
• 申請日: 2017-11-09
• 公開（公告）號: CN109963967B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 野田朗;川平啟太;平野立一
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B15/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉

1.一種摻雜有Zn的InP單晶基板，其為直徑為75mm且僅摻雜有Zn濃度為5×10¹⁸cm^-3以上的Zn的InP單晶基板，其特征在于：在晶圓狀基板的表面的中心部的點與距晶圓外周5mm的內側的圓周上的任意點的共計2點測量點，Zn的電性活化率超過85％，上述基板的主表面中的Zn的電性活化率的偏差為15％以下。

2.根據權利要求1所述的摻雜有Zn的InP單晶基板，其中，上述基板的主表面中的平均錯位密度為500cm^-2以下。

3.一種摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，為權利要求1或2所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其包括：

一面以轉速10rpm以下使InP單晶錠旋轉，一面至少在上述InP單晶錠的冷卻時將1020℃至820℃之間的200℃的溫度差在2～7.5分鐘的時間內進行冷卻；及

通過將上述InP單晶錠切成薄板狀而制成InP單晶基板。

4.根據權利要求3所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其包括：在上述InP單晶錠的冷卻時使成長用坩堝遠離加熱器發熱部。

5.根據權利要求3所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其進而包括：為了在上述InP單晶錠的冷卻時使成長用坩堝遠離加熱器發熱部，而使之向爐內的下部下降。

6.根據權利要求4所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其進而包括：為了在上述InP單晶錠的冷卻時使成長用坩堝遠離加熱器發熱部，而使之向爐內的下部下降。

7.根據權利要求3至6中任一項所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其進而包括：

在具有石墨制且厚度3～6mm的在直體狀圓筒的上壁直接連接有圓錐形筒的構造的熱擋板的爐中，利用通過直接摻雜Zn來進行的液封直拉(LEC)法提拉摻雜有Zn的InP單晶錠。

8.根據權利要求7所述的摻雜有Zn的InP單晶基板的制造方法，其進而包括：在上述InP單晶錠的冷卻時，在通過LEC法來進行的提拉結束后，在上述熱擋板的內側且在熱擋板與InP單晶錠不接觸的情況下一面使InP單晶錠旋轉一面進行冷卻。