[發明專利]薄膜封裝處理系統和工藝配件

有效

• 申請號: 201780071381.4
• 申請日: 2017-12-01
• 公開（公告）號: CN109964331B
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 栗田真一;斯里坎特·V·雷切爾拉;蘇哈斯·博斯基;芮祥新
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;C23C16/455;H01L51/00;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容涉及用于薄膜封裝(TFE)的方法和設備。在一個實施方式中，公開了一種用于原子層沉積(ALD)腔室的工藝配件，所述工藝配件包括介電窗口、密封框架和與所述密封框架連接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相對側上形成在掩模框架中的進氣通道和出氣通道。

背景

技術領域

本公開內容的實施方式總體涉及一種用于處理大面積基板的設備。更具體地，本公開內容的實施方式涉及一種用于器件制造的原子層沉積(ALD)系統和用于ALD系統的噴頭的原位清潔方法。

背景技術

有機發光二極管(OLED)用來制造用于顯示信息的電視屏幕、計算機監視器、移動電話、其它手持裝置等。典型的OLED可以包括位于兩個電極之間的有機材料層，所述兩個電極都以形成具有可單獨通電的像素的矩陣顯示面板的方式沉積在基板上。OLED一般放在兩個玻璃面板之間，并且玻璃面板的邊緣被密封以將OLED封裝在玻璃面板中。

OLED工業、以及利用基板處理技術的其它工業必須封裝濕敏器件以保護濕敏器件免于環境濕氣暴露。已經提出用薄保形材料層作為減小通過封裝層的水蒸氣透過率(WVTR)的手段。目前，商業上可以實現許多方式。正在考慮使用ALD工藝來覆蓋濕敏器件以確定這些涂層的保形性質是否能提供比其它涂層更有效的防濕氣層。

ALD基于原子層外延(ALE)并且采用化學吸附技術來在連續循環中在基板表面上輸送前驅物分子。所述循環將基板表面暴露于第一前驅物并且然后暴露于第二前驅物。可選地，可以在前驅物的引入操作之間引入凈化氣體。第一前驅物和第二前驅物反應以在基板表面上形成作為膜的產物化合物。重復所述循環以將層形成到期望厚度。

一種執行ALD的方法是通過前驅物氣體的時間分離(TS)脈沖。這種方法具有優于其它方法的若干優點，但是TS-ALD的一個缺點是將通過沉積而涂覆暴露于前驅物的每個表面(例如，腔室的內部)。如果不定期地去除這些沉積物，它們將傾向于剝離并最終會剝落，從而導致顆粒最終在基板上，這降低了沉積層的防濕氣性能。如果沒有有效的方法從腔室表面原位清潔不期望的沉積物，那么必須移置那些腔室表面以進行“離線”清潔。如果必須打開腔室來完成腔室表面的移置和更換以進行清潔，那么必須破壞腔室中的真空(例如，使腔室達到大氣壓力)，并且這種真空的破壞將導致腔室停機時間過長。

因此，需要一種允許以最少停機時間去除和清潔腔室的將積聚外來的沉積物的主要關鍵元件的處理腔室。

發明內容

本公開內容涉及用于在器件(諸如OLED)上的薄膜封裝(TFE)的方法和設備。

在一個實施方式中，公開了一種用于在ALD腔室中使用的工藝配件，所述工藝配件包括介電窗口、密封框架和與所述密封框架連接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相對側上形成在掩模框架中的進氣通道和出氣通道。

在另一個實施方式中，公開了一種用于在ALD腔室中使用的工藝配件，所述工藝配件包括：介電窗口；密封框架；掩模框架，所述掩模框架與所述密封框架連接，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相對側上形成在掩模框架中的進氣通道和出氣通道；和掩模片，所述掩模片耦接到所述掩模框架。

在另一個實施方式中，提供了一種用于執行ALD的處理系統。所述處理系統一般包括腔室主體、基座主體、圍繞所述基座主體設置的多個支撐構件、至少一個工藝氣體入口、至少一個泵送口和工藝配件。所述工藝配件通常包括介電窗口、密封框架和與所述密封框架連接的掩模框架，其中所述掩模框架具有在掩模框架的相對側上形成在掩模框架中的進氣通道和出氣通道。