[發(fā)明專利]含鎵和/或銦的組合物及其形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780071063.8 | 申請日： | 2017-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN109982838B | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | G·H·柯比;J·萬 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | B32B7/027 | 分類號： | B32B7/027;B32B18/00;C23C14/18 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖華 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組合 及其 形成 方法 | ||
1.一種陶瓷組件，包括：
對表面進(jìn)行定義的基底，其中，所述基底由陶瓷基質(zhì)復(fù)合物(CMC)材料形成；和
直接在所述基底表面形成粘合涂層的硅基層，其中，所述硅基層包含含硅材料和0.001wt％至85wt％的含Ga化合物、含In化合物或它們的混合物，
所述含Ga化合物、含In化合物或它們的混合物中的至少一種在所述含硅材料內(nèi)形成連續(xù)的晶界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組件，其中，含Ga化合物、含In化合物或它們的混合物中的至少一種反應(yīng)或溶解至形成于所述粘合涂層上的硅氧化皮中，以抑制硅氧化皮形成結(jié)晶。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組件，其中，所述含硅材料是硅金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陶瓷組件，其中，熱生長氧化物在所述粘合涂層上，并且，熱生長氧化物層在1415℃以下的工作溫度處保持非晶態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組件，其中，所述含硅材料包括硅化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷組件，其中，熱生長氧化物在所述粘合涂層上，并且，熱生長氧化物層在1485℃以下的工作溫度處保持非晶態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陶瓷組件，其中，所述硅化物包括硅化鉬、硅化錸或它們的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組件，其中，所述陶瓷組件還包括：
所述硅基層上的環(huán)境障涂層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組件，其中，所述含Ga化合物、含In化合物或它們的混合物中的至少一種與所述含硅材料不反應(yīng)。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的陶瓷組件，其中，所述硅基層包含含硅材料和0.001wt％至85wt％的含Ga化合物。
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