[發(fā)明專利]太陽能控制窗膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201780070795.5
• 申請日: 2017-09-26
• 公開（公告）號: CN109963709A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發(fā)明（設計）人: A·迪蓋;V·莫羅
• 申請（專利權(quán)）人: 美國圣戈班性能塑料公司
• 主分類號: B32B7/02
• 分類號: B32B7/02;B32B15/04;B32B27/36;B32B15/20
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 徐舒

1.一種復合膜，其包括：

第一透明襯底；

介電層；以及

至少兩個紅外反射堆疊，

其中所述介電層定位在所述至少兩個紅外反射堆疊之間；并且

其中每個紅外反射堆疊包括：

兩個包括NiCr的阻擋層；以及

所述兩個阻擋層之間包括銀的功能層。

2.一種復合膜，其包括：

第一透明襯底；

與所述第一透明襯底層相鄰的第一介電層；

與所述第一介電層相鄰的包括NiCr的第一阻擋層；

與所述第一阻擋層相鄰的包括銀的第一功能層；

與所述第一功能層相鄰的包括NiCr的第二阻擋層；

與所述第二阻擋層相鄰的第二介電層；

與所述第二介電層相鄰的包括NiCr的第三阻擋層；

與所述第三阻擋層相鄰的包括銀的第二功能層；

與所述第二功能層相鄰的包括NiCr的第四阻擋層；

與所述第四阻擋層相鄰的第三介電層；以及

覆蓋所述第三介電層的第二透明襯底。

3.一種形成復合膜的方法，其中所述方法包括：

提供第一透明襯底；

形成與所述第一透明襯底層相鄰的第一介電層；

形成與所述第一介電層相鄰的包括NiCr的第一阻擋層；

形成與所述第一阻擋層相鄰的包括銀的第一功能層；

形成與所述第一功能層相鄰的包括NiCr的第二阻擋層；

形成與所述第二阻擋層相鄰的第二介電層；

形成與所述第二介電層相鄰的包括NiCr的第三阻擋層；

形成與所述第三阻擋層相鄰的包括銀的第二功能層；

形成與所述第二功能層相鄰的包括NiCr的第四阻擋層；

形成與所述第四阻擋層相鄰的第三介電層；以及

提供覆蓋所述第三介電層的第二透明襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述第一透明襯底包括聚合物材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述第一透明襯底包括PET。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述復合膜的VLT為至少約10％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述復合膜的VLT不大于約95％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述復合膜的TSER為至少約40％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述復合膜的TSER不大于約85％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述功能層基本上由銀組成。

11.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述阻擋層基本上由NiCr組成。

12.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述第一功能層的厚度為至少約5納米并且不大于約25納米。

13.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述第二功能層的厚度為至少約5納米并且不大于約25納米。

14.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述阻擋層中的每一個的厚度不大于約5納米并且為至少約0.1納米。

15.根據(jù)權(quán)利要求1、2和3中任一項所述的復合膜或方法，其中所述介電層包括ITO、SnZnO_x、SiO_x、Si₃N₄、Nb₂O_x、TiO_x、In₂O_x、ZnO_x或AZO。