[發明專利]用于磁共振成像(MRI)系統的前部射頻(RF)線圈陣列

有效

• 申請號: 201780070709.0
• 申請日: 2017-11-22
• 公開（公告）號: CN109963507B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 納比勒·馬利克;邁克爾·克拉克;科爾曼·尤哈斯;愛德溫·艾根布羅特;羅伯特·斯托蒙特;斯科特·琳賽
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: A61B5/055
• 分類號: A61B5/055;G01R33/28
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;錢慰民

1.一種用于磁共振成像MRI系統的射頻RF線圈陣列，包括：

多個RF線圈，每個RF線圈包括集成電容器線圈環,每個集成電容器線圈環包括由介電材料封裝并隔開的兩個平行線導體，所述兩個平行線導體中的每個包括絞線導體；

多個耦合電子器件單元，每個耦合電子器件單元耦合到相應線圈環；和

多個線圈接口電纜，所述多個線圈接口電纜將每個耦合電子器件單元耦合到接口連接器，所述接口連接器被配置為耦合到所述MR成像系統的電纜。

2.根據權利要求1所述的RF線圈陣列，還包括材料片，所述多個RF線圈、所述多個耦合電子器件單元、所述多個線圈接口電纜附接到所述材料片。

3.根據權利要求2所述的RF線圈陣列，其中所述多個RF線圈、所述多個耦合電子器件單元、所述多個線圈接口電纜以及所述附接的材料片被裝入基于聚氨酯的封裝件中。

4.根據權利要求1所述的RF線圈陣列，其中每個耦合電子器件單元包括前置放大器和阻抗匹配網絡，所述阻抗匹配網絡被配置為產生高阻塞阻抗。

5.根據權利要求4所述的RF線圈陣列，其中每個耦合電子器件單元還包括去耦電路。

6.根據權利要求4所述的RF線圈陣列，其中所述前置放大器包括用于高源阻抗優化的低輸入阻抗前置放大器，并且其中所述阻抗匹配網絡提供所述高源阻抗。

7.根據權利要求1所述的RF線圈陣列，其中每個線圈環的電容是所述相應兩個平行線導體之間的間距、所述兩個平行線導體上的切口的位置和/或數量以及所述介電材料的函數。

8.根據權利要求1所述的RF線圈陣列，其中每個線圈環沿著其終端端部之間的所述線圈環的整個長度沒有任何電容和電感集總部件。

9.根據權利要求1所述的RF線圈陣列，其中所述多個RF線圈包括被布置成第一行的第一RF線圈、第二RF線圈、第三RF線圈、第四RF線圈和第五RF線圈，且另外還有五行RF線圈，總共有六行五個RF線圈。

10.根據權利要求9所述的RF線圈陣列，其中與每個RF線圈的每個耦合電子器件單元耦合的每個線圈接口電纜形成電纜組件，所述電纜組件沿著所述RF線圈陣列的中心軸線延伸到所述接口連接器。

11.根據權利要求10所述的RF線圈陣列，還包括定位在所述電纜組件周圍的至少一個平衡-不平衡變換器。

12.一種用于磁共振成像MRI系統的射頻RF線圈陣列，包括：

被布置成多個行的多個RF線圈，每行RF線圈具有相等數量的RF線圈，每個RF線圈包括集成電容器線圈環,每個集成電容器線圈環包括由介電材料封裝并隔開的兩個平行線導體，所述兩個平行線導體中的每個包括絞線導體；

多個耦合電子器件單元，每個耦合電子器件單元耦合到相應線圈環；

多個線圈接口電纜，所述多個線圈接口電纜將每個耦合電子器件單元耦合到接口連接器，所述接口連接器被配置為耦合到所述MR成像系統的電纜，來自所述多個RF線圈的所述線圈接口電纜形成電纜組件；以及

沿著所述電纜組件定位的至少一個平衡-不平衡變換器。

13.根據權利要求12所述的RF線圈陣列，其中每個耦合電子器件單元朝向所述RF線圈陣列的中心軸線取向，并且其中所述電纜組件沿著所述中心軸線延伸。

14.根據權利要求13所述的RF線圈陣列，其中所述多個RF線圈包括六行RF線圈，每行包括五個RF線圈。