[發明專利]半色調掩模、光掩模坯和半色調掩模的制造方法有效
| 申請號: | 201780070662.8 | 申請日: | 2017-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN110023836B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 美作昌宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社SK電子 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/14;G03F1/32;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 色調 光掩模坯 制造 方法 | ||
1.一種光掩模,其特征在于:
在透明基板上具有:
包括第一半透膜的第一半透過區域;
疊層有所述第一半透膜和第二半透膜的第二半透過區域;
所述第一半透膜和所述第二半透膜均不存在的透明區域;和
所述第一半透過區域和所述第二半透過區域鄰接的區域,
所述第一半透過區域對于曝光光的透過率為10~70%,對于曝光光的相位差為20度以下,
所述第二半透過區域對于曝光光的透過率為1~8%,并且,反轉曝光光的相位,
其中,將所述第一半透膜的相位偏移角設為α度、將所述第二半透膜的相位偏移角設為β度時,所述第一半透膜和所述第二半透膜的疊層膜滿足180-α≤β≤180的關系。
2.如權利要求1所述的光掩模,其特征在于:
所述疊層膜相對于所述第一半透過區域反轉曝光光的相位,或者相對于所述透明區域反轉曝光光的相位。
3.如權利要求1或2所述的光掩模,其特征在于:
將所述第一半透膜的相位偏移角設為α度、將所述第二半透膜的相位偏移角設為β度時,還滿足β=180-α/2的關系。
4.如權利要求1或2所述的光掩模,其特征在于:
所述第一半透膜和所述第二半透膜分別對彼此的濕式蝕刻液具有選擇性。
5.如權利要求1或2所述的光掩模,其特征在于:
作為所述第一半透膜,選自Ti(鈦)、氧化Ti、氮化Ti、氮氧化Ti或它們的2種以上的疊層膜,并且第二半透膜選自氧化Cr(鉻)、氮化Cr、氮氧化Cr或它們的2種以上的疊層膜,
或者,作為所述第一半透膜,選自Cr、氧化Cr、氮化Cr、氮氧化Cr或它們的2種以上的疊層膜,并且第二半透膜選自氧化Ti(鈦)、氮化Ti、氮氧化Ti或它們的2種以上的疊層膜。
6.如權利要求1或2所述的光掩模,其特征在于:
所述疊層膜中,所述第二半透膜的邊緣比所述第一半透膜的邊緣突出規定的尺寸,
將曝光光的波長設為λ、將投影所述曝光光的投影曝光裝置的光學系的數值孔徑設為NA時,所述尺寸為λ/(8NA)以上且λ/(3NA)以下。
7.一種光掩模,其特征在于:
在透明基板上具有第三半透膜、第四半透膜以及依次疊層有所述第三半透膜和所述第四半透膜的疊層膜,
所述疊層膜中,所述第四半透膜的邊緣比所述第三半透膜的邊緣突出,
所述第三半透膜對于曝光光的透過率為10~70%,對于曝光光的相位差為0.4~10度,
所述第四半透膜對于曝光光的透過率為2~9%,并且,反轉曝光光的相位。
8.如權利要求7所述的光掩模,其特征在于:
所述第四半透膜中,通過將相位偏移角設為大致180度,相對于所述第三半透膜反轉曝光光的相位,并且,相對于所述透明基板反轉曝光光的相位。
9.如權利要求7或8所述的光掩模,其特征在于:
具有:包括依次疊層有所述第三半透膜和所述第四半透膜的疊層膜的區域;和僅由所述第四半透膜構成的區域。
10.如權利要求7或8所述的光掩模,其特征在于:
所述第三半透膜和所述第四半透膜分別對彼此的濕式蝕刻液具有選擇性。
11.如權利要求7或8所述的光掩模,其特征在于:
所述第三半透膜選自Ti(鈦)、氧化Ti、氮化Ti、氮氧化Ti或它們的2種以上的疊層膜,并且,第四半透膜選自氧化Cr(鉻)、氮化Cr、氮氧化Cr或它們的2種以上的疊層膜,
或者,所述第三半透膜選自Cr、氧化Cr、氮化Cr、氮氧化Cr或它們的2種以上的疊層膜,并且,第四半透膜選自氧化Ti(鈦)、氮化Ti、氮氧化Ti或它們的2種以上的疊層膜。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





