[發明專利]用于高模數ALD SiO2

有效

• 申請號: 201780070305.1
• 申請日: 2017-11-08
• 公開（公告）號: CN109937467B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 克洛伊·巴爾達賽羅尼;尚卡爾·斯瓦米納坦
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/768
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;邱曉敏

1.一種在襯底上進行多次圖案化的方法，該方法包括：

提供具有圖案化的芯材料的襯底；

將所述襯底暴露于交替暴露的含硅前體和氧化劑；以及

當將所述襯底暴露于所述氧化劑時點燃等離子體，以在所述圖案化的芯材料上形成具有至少55GPa的彈性模量的保形氧化硅間隔物材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料在大于50℃且小于約80℃的襯底溫度下沉積。

3.根據權利要求2所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

4.根據權利要求3所述的方法，其進一步包括將所述保形氧化硅間隔物材料暴露于紫外線輻射以使所述保形氧化硅間隔物材料致密化。

5.根據權利要求1所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

6.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括將所述保形氧化硅間隔物材料暴露于紫外線輻射以使所述保形氧化硅間隔物材料致密化。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料在大于50℃且小于約80℃的襯底溫度下沉積。

8.根據權利要求6所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

9.根據權利要求6所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料暴露于所述紫外線輻射持續介于約5分鐘和約30分鐘之間的持續時間。

10.一種在襯底上進行多次圖案化的方法，該方法包括：

提供具有圖案化的芯材料的襯底；

將所述襯底暴露于交替暴露的含硅前體和氧化劑；

當將所述襯底暴露于所述氧化劑時點燃等離子體，以在所述圖案化的芯材料上形成具有至少55GPa的彈性模量的保形氧化硅間隔物材料；

選擇性地蝕刻對于所述保形氧化硅間隔物材料有選擇性的所述圖案化的芯材料，以形成包括所述保形氧化硅間隔物材料的掩模；以及

使用所述掩模蝕刻在所述襯底上的目標層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料在大于50℃且小于約80℃的襯底溫度下沉積。

12.根據權利要求11所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

13.根據權利要求12所述的方法，其進一步包括將所述保形氧化硅間隔物材料暴露于紫外線輻射以使所述保形氧化硅間隔物材料致密化。

14.根據權利要求10所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

15.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括將所述保形氧化硅間隔物材料暴露于紫外線輻射以使所述保形氧化硅間隔物材料致密化。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料在大于50℃且小于約80℃的襯底溫度下沉積。

17.根據權利要求15所述的方法，其中使用至少約1000焦耳的射頻等離子體能量點燃所述等離子體。

18.根據權利要求15所述的方法，其中所述保形氧化硅間隔物材料暴露于所述紫外線輻射持續介于約5分鐘和約30分鐘之間的持續時間。